[发明专利]涂覆式半导体装置在审
申请号: | 202110771796.0 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113972177A | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | S·K·科杜里 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L23/06 | 分类号: | H01L23/06;H01L23/48;H01L23/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂覆式 半导体 装置 | ||
本公开的实施例涉及涂覆式半导体装置。在实例中,一种半导体装置(100)包括:半导体裸片(90);不透明模制化合物壳体(102),其覆盖所述半导体裸片;导电端子(104),其从所述模制化合物壳体延伸;及绝缘涂层(112),其覆盖所述模制化合物壳体及所述导电端子的至少一部分。
技术领域
本公开的实施例涉及半导体领域,特定来说涉及涂覆式半导体装置。
背景技术
半导体芯片(通常也被称为“裸片”)通常安装在裸片垫上且经引线接合、夹置或以其它方式耦合到导电端子。随后将所得组合件被覆盖在模制化合物壳体(例如塑料壳体)中,以保护所述组合件免受潜在的破坏性热、物理创伤、水分及其它有害因素的影响。导电端子可从所述壳体的外部接近。被覆盖组合件被称为半导体封装或更简单地被称为封装。
发明内容
在实例中,一种半导体装置包括:半导体裸片;不透明模制化合物壳体,其覆盖所述半导体裸片;导电端子,其从所述模制化合物壳体延伸;及绝缘涂层,其覆盖所述模制化合物壳体及所述导电端子的至少一部分。
在实例中,一种方法包括:提供半导体装置,所述半导体装置具有塑料壳体及从所述塑料壳体延伸的导电端子;用绝缘涂层覆盖所述塑料壳体及所述导电端子;执行所述绝缘壳体的第一次固化;使用溶剂来从所述导电端子的一部分移除所述绝缘涂层;及执行覆盖所述塑料壳体及所述导电端子的所述绝缘涂层的第二次固化。
附图说明
为了详细描述各种实例,现在将参考附图,其中:
图1A描绘根据实例的双列直插式、鸥翼型涂覆式半导体装置的前视图。
图1B描绘根据实例的双列直插式、鸥翼型涂覆式半导体装置的侧视图。
图1C描绘根据实例的双列直插式、鸥翼型涂覆式半导体装置的透视图。
图2A描绘根据实例的四方扁平、鸥翼型涂覆式半导体装置的前视图。
图2B描绘根据实例的四方扁平、鸥翼型涂覆式半导体装置的侧视图。
图2C描绘根据实例的四方扁平、鸥翼型涂覆式半导体装置的透视图。
图3A描绘根据实例的另一双列直插式、鸥翼型涂覆式半导体装置的前视图。
图3B描绘根据实例的另一双列直插式、鸥翼型涂覆式半导体装置的侧视图。
图3C描绘根据实例的另一双列直插式、鸥翼型涂覆式半导体装置的透视图。
图4A描绘根据实例的晶体管轮廓涂覆式半导体装置的前视图。
图4B描绘根据实例的晶体管轮廓涂覆式半导体装置的侧视图。
图4C描绘根据实例的晶体管轮廓涂覆式半导体装置的透视图。
图5A描绘根据实例的球栅阵列(BGA)涂覆式半导体装置的侧视图。
图5B描绘根据实例的BGA涂覆式半导体装置的透视图。
图6A描绘根据实例的四方扁平无引线(QFN)涂覆式半导体装置的侧视图。
图6B描绘根据实例的QFN涂覆式半导体装置的透视图。
图6C描绘根据实例的QFN涂覆式半导体装置的自下而上视图。
图7到10描绘根据实例的各种涂覆式半导体装置的侧视图,包含从模制化合物壳体延伸的鸥翼型导电端子的详细视图。
图11A1到11F1描绘根据实例的用于制造涂覆式半导体装置的工艺流程的自上而下视图。
图11A2到11F2描绘根据实例的用于制造涂覆式半导体装置的工艺流程的透视图。
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