[发明专利]涂覆式半导体装置在审
申请号: | 202110771796.0 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113972177A | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | S·K·科杜里 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L23/06 | 分类号: | H01L23/06;H01L23/48;H01L23/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂覆式 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
半导体裸片;
不透明模制化合物壳体,其覆盖所述半导体裸片;
导电端子,其从所述模制化合物壳体延伸;及
绝缘涂层,其覆盖所述模制化合物壳体及所述导电端子的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述模制化合物壳体包括塑料。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述绝缘涂层覆盖所述模制化合物壳体的所有表面的整体。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述导电端子包含第一弯曲部及第二弯曲部,且其中所述绝缘涂层从所述模制化合物壳体的表面延伸到所述第一弯曲部与所述第二弯曲部之间的点。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述绝缘涂层具有在从100纳米到10微米的范围内的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述绝缘涂层由选自以下项组成的群组的材料构成:聚合物、阻焊剂及陶瓷。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步包括金属部件,所述金属部件从所述模制化合物壳体内延伸,穿过所述模制化合物壳体,且到所述模制化合物壳体的表面,且其中所述绝缘涂层覆盖所述金属部件。
8.一种电子装置,其包括:
印刷电路板PCB;
半导体装置,其包含不透明模制化合物壳体及从所述模制化合物壳体延伸的导电端子,所述导电端子具有第一弯曲部及第二弯曲部且终止于末端处;
绝缘涂层,其覆盖所述模制化合物壳体且覆盖在所述模制化合物壳体与所述第一与第二弯曲部之间的点之间的所述导电端子的至少第一长度;及
金属接头,其经耦合到所述PCB及所述导电端子,所述金属接头覆盖所述第二弯曲部及所述导电端子的所述末端。
9.根据权利要求8所述的电子装置,其中所述模制化合物壳体由塑料构成。
10.根据权利要求8所述的电子装置,其中所述绝缘涂层及所述金属接头经配置以防止所述导电端子上的晶须形成。
11.根据权利要求8所述的电子装置,其中所述绝缘涂层选自由以下项组成的群组:聚合物、阻焊剂及陶瓷。
12.根据权利要求8所述的电子装置,其中所述绝缘涂层邻接且气密地密封所述模制化合物壳体。
13.根据权利要求8所述的电子装置,其中所述绝缘涂层气密地密封所述模制化合物壳体与所述导电端子之间的界面。
14.根据权利要求8所述的电子装置,其中所述导电端子包括暴露区域,在所述暴露区域处所述导电端子的铜部分通过所述导电端子的镀层部分暴露,且其中所述绝缘涂层覆盖所述暴露区域。
15.根据权利要求8所述的电子装置,其中所述绝缘涂层包括至少90度的水接触角。
16.根据权利要求8所述的电子装置,其中所述绝缘涂层具有在从100纳米到10微米的范围内的厚度。
17.一种半导体装置,其包括:
半导体裸片;
不透明塑料壳体,其覆盖所述半导体裸片;
导电端子,其从所述塑料壳体延伸且包含弯曲部;及
涂层,其覆盖所述塑料壳体的表面。
18.根据权利要求17所述的半导体装置,其中所述涂层包括绝缘涂层。
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