[发明专利]扇入型半导体封装装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110771033.6 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113594121A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡骐隆;陈嘉滨;邱琬婷;田佳升 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扇入型 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种扇入型半导体封装装置，包括：
芯片，所述芯片有源面设置有导电垫；
第一重布线层，设置于所述芯片有源面，且电连接所述导电垫；
导电柱，设置于所述第一重布线层且电连接所述第一重布线层，所述导电柱的水平投影与所述芯片有源面设置的导电垫的水平投影之间不重叠；
模封层，包覆所述芯片、所述第一重布线层和所述导电柱，且所述导电柱从所述模封层上表面暴露；
缓冲层，设置于所述导电柱上，且所述缓冲层设置有开口；
焊料凸块，设置于所述缓冲层上且通过所述开口电连接所述导电柱。
2.根据权利要求1所述的扇入型半导体封装装置，其中，所述缓冲层设置于所述焊料凸块的水平投影区内。
3.根据权利要求2所述的扇入型半导体封装装置，其中，所述缓冲层上表面接触所述焊料凸块。
4.根据权利要求1所述的扇入型半导体封装装置，其中，所述缓冲层接触所述模封层上表面。
5.根据权利要求1所述的扇入型半导体封装装置，其中，所述缓冲层接触所述导电柱。
6.根据权利要求5所述的扇入型半导体封装装置，其中，所述缓冲层下表面与所述导电柱上表面共面。
7.根据权利要求1所述的扇入型半导体封装装置，其中，所述缓冲层的开口水平截面面积小于所述焊料凸块的水平截面面积。
8.根据权利要求1所述的扇入型半导体封装装置，其中，所述扇入型半导体封装装置还包括：
凸块下金属，设置于所述焊料凸块与所述缓冲层之间，且分别电连接所述焊料凸块和所述导电柱。
9.根据权利要求1所述的扇入型半导体封装装置，其中，所述扇入型半导体封装装置还包括：
衬底，设置于所述焊料凸块和所述缓冲层上，所述焊料凸块电连接所述衬底。
10.一种制造扇入型半导体封装装置的方法，包括：
提供芯片，所述芯片有源面设置有导电垫；
在所述芯片有源面形成第一重布线层，以使所述第一重布线层电连接所述导电垫；
在所述第一重布线层上形成导电柱，以使所述导电柱电连接所述第一重布线层，且所述导电柱的水平投影与所述芯片有源面设置的导电垫的水平投影之间不重叠；
模封以形成包覆所述芯片、所述第一重布线层和所述导电柱的模封层；
在所述导电柱上形成缓冲层；
在所述缓冲层上设置焊料凸块，以使得所述焊料凸块电连接所述导电柱。
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