[发明专利]半导体对准装置及半导体对准方法在审
申请号: | 202110678260.4 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN114724993A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 陈佳政;杨智凯;陈亮吟;张惠政;杨育佳 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 对准 装置 方法 | ||
揭示一种半导体对准装置及半导体对准方法,即校正晶圆在晶圆保持件上的错位的方法以及执行此方法的装置。在一实施方式中,半导体对准装置包含晶圆平台;晶圆保持件位于晶圆平台上;第一位置侦测器配置以侦测晶圆在晶圆保持件之上在第一方向上的对准;第二位置侦测器配置以侦测晶圆在晶圆保持件之上在第二方向上的对准;以及旋转侦测器配置以侦测晶圆在晶圆保持件之上的旋转对准。
技术领域
本揭露的实施方式是有关于半导体对准装置及半导体对准方法。
背景技术
半导体元件用于各式各样的电子应用,例如个人计算机、移动电话、数字摄影机、以及其他电子设备中。通常透过依序沉积绝缘或介电层、导电层、以及半导体层的材料于半导体基材之上,并使用微影图案化各种材料层,以形成电路组件与元件在其上,来制造半导体元件。
透过不断缩减最小特征的尺寸,半导体产业持续提升各种电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度,而使得更多组件可整合至一给定面积中。
发明内容
依照一实施方式,一种半导体对准装置包含晶圆平台;晶圆保持件位于晶圆平台之上;第一位置侦测器配置以侦测晶圆在晶圆保持件之上在第一方向上的对准;第二位置侦测器配置以侦测晶圆在晶圆保持件之上在第二方向上的对准;以及旋转侦测器配置以侦测晶圆在晶圆保持件之上的旋转对准。
依照另一实施方式,一种半导体对准方法包含装载晶圆于晶圆保持件上;进行第一扫描,以确定晶圆相对于晶圆保持件在第一方向上的第一错位;进行第二扫描,以确定晶圆相对于晶圆保持件在第二方向上的第二错位;以及沿第一方向或第二方向的至少一者移动晶圆保持件的位置,以校正第一错位与第二错位。
依照又一实施方式,一种半导体对准方法包含装载晶圆于晶圆保持件上;进行旋转扫描,以确定晶圆相对于晶圆保持件的旋转错位;旋转晶圆保持件,以校正旋转错位;倾斜晶圆保持件;以及将晶圆暴露于离子束。
附图说明
下列详细的描述配合附图阅读可使本揭露的态样获得最佳的理解。需注意的是,依照业界的标准实务,许多特征并未按比例绘示。事实上,可任意增加或减少各特征的尺寸,以使讨论清楚。
图1是依照一些实施方式的用以侦测与校正晶圆在晶圆平台上的错位的方法的流程图;
图2A、图2B、图3、图4、图5、图6、图7A、图7B、图8、图9、图10A、以及图10B是依照一些实施方式的方法中的中间阶段的侧视图与上视图;
图11是依照一些实施方式的可用来执行方法的离子植入机的平面图。
【符号说明】
100:方法
101:步骤
103:步骤
105:步骤
107:步骤
109:步骤
111:步骤
113:步骤/离子暴露制程
201:晶圆平台
202:中心轴
203:晶圆保持件
204:中心轴
205:晶圆
207:对准标记
209:离子束
213:x方向光发射器
214:x方向光侦测器
215:y方向光发射器
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造