[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

一个以上的第1基板，其形成有电性图案；

一个以上的第1半导体芯片，其在所述第1基板上安装；

一个以上的第2基板，其分别与一个以上的所述第1基板及一个以上的所述第1半导体芯片电性连接；

一个以上的第2半导体芯片，其在所述第2基板上安装，而与一个以上的所述第1基板电性连接；及

封止材料，其包裹所述第1半导体芯片及所述第2半导体芯片,

并且，通过在所述第1半导体芯片上面与所述第2半导体芯片下面之间介入形成的绝缘层电性地绝缘，而使得所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片形成层积结构。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述第1基板为由金属材质形成的引线框。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，

所述引线框包括：

一个以上的衬垫，其安装所述第1半导体芯片；

一个以上的内引线，其与所述第2半导体芯片电性连接；

外引线，其从所述内引线延伸而向所述封止材料外侧裸露，接收电信号。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述第1基板包括一个以上的金属层和一个以上的绝缘层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述第1半导体芯片为IGBT、MOSFET或二极管。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

在与一个以上的所述第1半导体芯片电性连接的所述第2基板的金属层与一个以上的所述第2半导体芯片的下面之间介入形成一个以上的绝缘层。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述第2基板为形成有一个以上的绝缘层的绝缘基板。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，

所述绝缘基板为形成有一个以上的金属层的陶瓷绝缘基板或PCB。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述第2基板为金属夹子，在所述金属夹子与所述第2半导体芯片之间介入形成有绝缘层。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，

所述绝缘层的绝缘材质为包含环氧基成分的浆料，并且，在100℃以上的温度热硬化而形成。

11.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，

所述绝缘层的绝缘材质以薄片形态介入形成于所述金属夹子与所述第2半导体芯片之间。

12.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，

所述绝缘层的绝缘材质首先粘接在所述第2半导体芯片的下面，然后粘接在所述金属夹子。

13.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

在所述第2半导体芯片的上面电性连接5个以上的端子。

14.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述第2半导体芯片为HVIC或LVIC电路。

15.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述第2半导体芯片下面的表面包含Si成分80％以上。

16.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述第1半导体芯片的上面或下面的最外廓金属层包含Ag成分或Au成分80％以上。