[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：第一导线结构，接触第一互连结构；第一管芯，形成在第一导线结构上；第二导线结构，接触第二互连结构，第二互连结构连接第一互连结构；第二管芯，形成在第二导线结构上。本发明的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以改善半导体结构的良率。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术

多电子元件的封装件结构中，线路结构要同时包含每一个电子元件的导线线路，例如扇出型衬底上芯片(FOCoS)结构中特定应用集成电路(ASIC)芯片与高带宽存储器(HBM)同时接合在包含其二者的扇出线路的结构上，由于线路复杂度及线路制作尺寸大，因此会具有较低的良率。

发明内容

针对相关技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以改善半导体结构的良率。

为实现上述目的，本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：第一导线结构，接触第一互连结构；第一管芯，形成在第一导线结构上；第二导线结构，接触第二互连结构，第二互连结构连接第一互连结构；第二管芯，形成在第二导线结构上。

在一些实施例中，还包括：第一介电层，位于第一导线结构的上下两侧；第二介电层，位于第二导线结构的上下两侧，第一导线结构和第二导线结构分别延伸到第一介电层的侧壁和第二介电层的侧壁上，第一互连结构和第二互连结构分别与第一介电层和第二介电层接触。

在一些实施例中，还包括：第一介电层，位于第一导线结构的上下两侧；第二介电层，位于第二导线结构的上下两侧，第一导线结构和第二导线结构分别相对于第一介电层的侧壁和第二介电层的侧壁凹进，第一互连结构和第二互连结构分别与第一介电层和第二介电层接触。

在一些实施例中，还包括：第一介电层，位于第一导线结构的上下两侧；第二介电层，位于第二导线结构的上下两侧，第一导线结构和第二导线结构分别相对于第一介电层的侧壁和第二介电层的侧壁凸出，第一介电层和第二介电层的侧壁分别朝远离第一互连结构和第二互连结构的方向内凹成弧形，第一互连结构和第二互连结构分别与第一介电层和第二介电层接触。

在一些实施例中，第一互连结构和第二互连结构分别包覆第一介电层的弧形的侧壁和第二介电层的弧形的侧壁，第一介电层和第二介电层分别在所对应的弧形的侧壁处具有尖角。

在一些实施例中，第一互连结构包覆第一介电层的尖角，第二互连结构包覆第二介电层的尖角。

在一些实施例中，第一导线结构的接触第一互连结构的端部构造成尖端，第二导线结构的接触第二互连结构的端部构造成尖端。

在一些实施例中，还包括：第一氧化层，覆盖第一导线结构的部分，并且临近第一导线结构的尖端；第二氧化层，覆盖第二导线结构的部分，并且临近第二导线结构的尖端。

在一些实施例中，还包括：桥结构，位于第一导线结构和第二导线结构之间，并且电连接至第一互连结构和第二互连结构。

在一些实施例中，第一导线结构和第二导线结构均具有上下叠置的第一金属层和第二金属层，第一互连结构和第二互连结构分别包覆第一导线结构和第二导线结构的端部，第一互连结构、第二互连结构与第一金属层的材料相同，第一互连结构在第一金属层上的厚度大于第一互连结构在第二金属层上的厚度，第二互连结构在第一金属层上的厚度大于第二互连结构在第二金属层上的厚度。

本申请的实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在第一导线结构上形成第一管芯以形成第一管芯封装结构；在第二导线结构上形成第二管芯以形成第二管芯封装结构；在第一导线结构的侧壁上形成第一互连结构；在第二导线结构的侧壁上形成第二互连结构；将第一互连结构对接至第二互连结构。

在一些实施例中，使用化镀工艺形成第一互连结构、第二互连结构。