[发明专利]芯片封装结构以及制作方法、电子设备

说明书

本申请提供一种芯片封装结构以及制作方法、电子设备。该芯片封装结构中采用双面封装结构，该双面封装结构中，在封装第一芯片的第二塑封层内设置第一导体柱，在第二塑封层远离基板的一侧设置RDL布线层。该RDL布线层用于引出外部焊接管脚，作为引出I/O管脚。第一导体柱分别与基板和RDL布线层相耦接，使得RDL布线层上的引出I/O管脚能够与基板实现信号连接，从而在提高芯片封装结构的集成度的基础上，使该芯片封装结构能够适用更多的应用场景，进而提高对引出I/O管脚数量具有更高要求的电子设备的小型化竞争力。

技术领域

本申请涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构以及制作方法、电子设备。

背景技术

随着封装内系统(system in package，SiP)技术的发展，会不断增加封装模组中单位体积内芯片或器件的密度，满足电子设备小型化的要求。

为提高封装模组的集成度，一般采用双面封装技术。随着双面封装模组中集成度的要求提高，对双面封装模组的引出输入/输出(input/output，I/O)管脚数量的需求也会增加。目前，由于双面封装模组结构的限制，使得双面封装模组的引出I/O管脚数量也受到限制，从而影响双面封装模组的应用范围。

发明内容

本申请实施例提供一种芯片封装结构以及制作方法、电子设备，能够提高封装后的封装模组的引出I/O管脚的数量，提高封装模组的集成度以及封装模组的应用范围。

第一方面，本申请提供一种芯片封装结构。该芯片封装结构包括：基板、第一芯片、器件模组、第一塑封层和第二塑封层。其中，器件模组耦接于基板的第一面，且被第一塑封层包覆塑封。第一芯片耦接于基板的第二面，且被第二塑封层包覆塑封。第二塑封层远离基板的一侧设置有RDL布线层，RDL布线层用于引出外部焊接管脚。第二塑封层内设置有第一导体柱，且第一导体柱的第一端与基板耦接，第一导体柱的第二端与RDL布线层耦接。

基于上述芯片封装结构，该芯片封装结构中采用双面封装结构，该双面封装结构中，在封装第一芯片的第二塑封层内设置第一导体柱，在第二塑封层远离基板的一侧设置RDL布线层。该RDL布线层用于引出外部焊接管脚，作为引出I/O管脚。第一导体柱分别与基板和 RDL布线层相耦接，使得RDL布线层上的引出I/O管脚能够与基板实现信号连接，从而在提高芯片封装结构的集成度的基础上，使该芯片封装结构能够适用更多的应用场景，进而提高对引出I/O管脚数量具有更高要求的电子设备的小型化竞争力。

结合第一方面，一种可能的的设计方式中，上述器件模组可以包括无源器件、WB芯片以及焊接芯片的一种或多种。在上述芯片封装结构中，可以适用多种芯片封装场景。

结合第一方面，一种可能的的设计方式中，上述芯片封装结构还可以包括第二芯片。第二芯片堆叠于第一芯片远离基板的一侧，且被第二塑封层包覆塑封。第二芯片远离第一芯片的一侧具有焊接凸点；焊接凸点与RDL布线层耦接。如此，当双面封装结构的其中一面需要封装至少两个芯片(如第一芯片和第二芯片)时，可以通过堆叠的方式进行封装，从而降低芯片封装结构的横向尺寸，提高芯片封装结构中器件的集成度。

结合第一方面，一种可能的的设计方式中，第二塑封层可以包括第二内部塑封层和第二外部塑封层。第二内部塑封层用于对第一芯片包覆塑封。第二外部塑封层用于对第二芯片包覆塑封。第一导体柱包括第一内侧导体柱和第一外侧导体柱。第一内侧导体柱位于第二内部塑封层内。第一外侧导体柱位于第二外部塑封层内。第一内侧导体柱与第一外侧导体柱相耦接。如此，在芯片封装结构的制作过程中，可以对第一芯片和第一内侧导体柱通过第二内部塑封层塑封；还可对第二芯片和第一外侧导体柱通过第二外部塑封层塑封。在完成第二内部塑封层的塑封时，不仅可以对第二内部塑封层进行减薄处理，还可以对第一芯片的衬底进行减薄处理，以降低第一芯片的厚度，从而降低整个芯片封装结构的厚度，提供芯片封装的集成度。

结合第一方面，一种可能的的设计方式中，第一芯片和第二芯片之间可以通过贴片胶贴装。