[发明专利]半导体封装件在审
| 申请号: | 202110405250.3 | 申请日: | 2021-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN113937068A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
| 发明(设计)人: | 金泳龙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/10 | 分类号: | H01L23/10;H01L23/16;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
封装基板;
基板,所述基板位于所述封装基板上;
第一半导体芯片,所述第一半导体芯片安装在所述基板上;和
加强件结构,所述加强件结构位于所述封装基板上,所述加强件结构具有孔,
其中,所述加强件结构与所述基板横向间隔开,
其中,所述孔穿透所述加强件结构的顶表面和所述加强件结构的底表面,并且
其中,当在俯视图中观察时,所述孔与所述封装基板的拐角区域交叠。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
粘合层,所述粘合层位于所述封装基板与所述加强件结构之间,
其中,所述粘合层延伸到所述加强件结构的所述孔中,并且覆盖所述孔的侧壁的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述粘合层的刚度小于所述加强件结构的刚度。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述粘合层的杨氏模量是所述加强件结构的杨氏模量的1/3000至1/100。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件,
其中,所述粘合层的杨氏模量在0.01GPa至1GPa的范围内,并且
其中,所述加强件结构的杨氏模量在100GPa至300GPa的范围内。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
多个第二半导体芯片,所述多个第二半导体芯片堆叠在所述基板上,
其中,所述第一半导体芯片的类型不同于所述第二半导体芯片的类型。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
粘合层,所述粘合层位于所述封装基板与所述加强件结构之间,
其中,所述粘合层包括基体层,并且
其中,所述基体层包括有机硅类聚合物或有机硅类橡胶。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件,
其中,所述粘合层还包括在所述基体层中的填料,
其中,所述填料包括与所述基体层的材料不同的材料。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
多个中介凸块,所述多个中介凸块介于所述封装基板与所述基板之间,并且电连接到所述封装基板和所述基板;
底部填充层,所述底部填充层位于所述封装基板与所述基板之间的间隙中,所述底部填充层包封所述中介凸块;和
粘合层,所述粘合层位于所述封装基板与所述加强件结构之间,
其中,所述粘合层与所述底部填充层间隔开,并且包括与所述底部填充层的材料不同的材料。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件,
其中,当在俯视图中观察时,所述封装基板具有中央区域和包围所述中央区域的边缘区域,
其中,所述基板位于所述封装基板的所述中央区域上,
其中,所述加强件结构位于所述封装基板的所述边缘区域上,并且
其中,所述封装基板的所述边缘区域包括所述拐角区域。
11.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述封装基板的所述拐角区域与所述封装基板的两个相邻的侧表面彼此汇合处的拐角相邻。
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