[发明专利]半导体干燥方法以及DRAM电容器的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体干燥方法，包括：采用第一干燥剂对晶圆表面进行第一置换处理，其中，所述第一干燥剂的表面张力低于去离子水的表面张力，所述第一干燥剂与所述去离子水互溶；采用第二干燥剂对所述晶圆表面进行第二置换处理，其中，所述第二干燥剂的表面张力低于所述第一干燥剂的表面张力，所述第二干燥剂与所述第一干燥剂互溶；对所述晶圆表面的第二干燥剂进行去除。采用本发明提供的技术方案，能够提高干燥效果，避免在干燥过程中产生极板坍塌。

技术领域

本发明涉及半导体干燥技术领域，尤其涉及一种半导体干燥方法以及DRAM电容器的制造方法。

背景技术

产品的集成度越高，晶圆干燥能力越有限，干燥不良会进而导致良率及产品特性问题。在存储器件的电容制备过程中，通常会在将电容极板之间的氧化物刻蚀之后，对晶圆表面采用去离子水进行清洗。干燥过程是指将晶圆表面的去离子水进行干燥的过程。现有的干燥方法，由于采用的干燥剂或去离子水的表面张力的作用，容易在干燥的过程中导致电容极板的坍塌。

发明内容

本发明提供的半导体干燥方法以及DRAM电容器的制造方法，能够提高干燥效果，避免在干燥过程中产生极板坍塌。

本发明提供一种半导体干燥方法，包括：

采用第一干燥剂对晶圆表面进行第一置换处理，其中，所述第一干燥剂的表面张力低于去离子水的表面张力，所述第一干燥剂与所述去离子水互溶；

采用第二干燥剂对所述晶圆表面进行第二置换处理，其中，所述第二干燥剂的表面张力低于所述第一干燥剂的表面张力，所述第二干燥剂与所述第一干燥剂互溶；

对所述晶圆表面的第二干燥剂进行去除。

可选地，对所述晶圆表面的第二干燥剂进行去除之后包括：采用碱性气体对所述晶圆表面进行处理，以使残留的第二干燥剂分解。

可选地，采用碱性气体对所述晶圆表面进行处理时，控制所述碱性气体的温度为50～100摄氏度。

可选地，所述碱性气体为氨气。

可选地，对所述晶圆表面的第二干燥剂进行去除包括：采用超临界二氧化碳对所述晶圆表面的超疏水剂进行干燥。

可选地，所述第一干燥剂为异丙醇。

可选地，所述第一置换处理过程中异丙醇的温度为71-73摄氏度。

可选地，所述第二干燥剂为超疏水剂。

可选地，所述超疏水剂为四乙氧基硅烷TEOS与三氟甲基氟正辛基硅烷FluowetFS600的混合物的水溶液。

可选地，所述混合比例为TEOS与Fluowet FS600混合的摩尔比例为5:1；所述混合物与水的摩尔比例为1:50。

第二方面，本发明提供一种DRAM电容器的制造方法，包括：

提供晶圆；

在所述晶圆上形成模制氧化层；

对所述模制氧化层进行刻蚀形成电容孔；

在所述电容孔内形成下电极；

刻蚀去除剩余的模制氧化层；

采用如上述之一所述的方法对所述晶圆进行干燥；

在所述下电极内壁和外壁上形成电容介质层和上电极。