[发明专利]封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110393914.9 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN115206903A 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 杨丹凤;林耀剑;徐晨;何晨烨 申请(专利权)人: 长电科技管理有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/31;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 韩晓园
地址: 201201 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,其特征在于,包括:

衬底,所述衬底具有相对设置的第一表面、第二表面;

位于所述第一表面上的芯片,包括至少一个露背芯片、至少一个非露背芯片;

散热结构,贴装于所述非露背芯片的背面;

密封结构,所述散热结构的背面和所述露背芯片的背面透过所述密封结构向外裸露。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述非露背芯片的热耗小于或等于所述露背芯片的热耗。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述非露背芯片位于所述衬底的边缘或中间。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述散热结构通过散热界面键合材料贴于所述非露背芯片的背面。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述非露背芯片的任一侧具有其他芯片时,所述散热结构朝向该侧的边缘不会超过所述非露背芯片朝向该侧的边缘。

6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述散热结构上设有应力槽和/或应力孔。

7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于:所述散热结构包括顶部散热片和侧支撑部,所述应力槽和/或所述应力孔开设于所述顶部散热片或所述顶部散热片与所述侧支撑部的连接处。

8.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述散热结构包括与所述非露背芯片的背面热传导连接的顶部散热片,所述顶部散热片可以为平片状或局部帽型。

9.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述散热结构包括与所述非露背芯片的背面热传导连接的顶部散热片,所述顶部散热片的至少一端设有散热翅片。

10.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述散热结构还包括侧支撑部,所述侧支撑部通过散热界面键合材料与所述衬底接触。

11.根据权利要求4或10所述的封装结构,其特征在于:所述散热界面键合材料包括散热胶、银或其合金烧结胶、焊锡中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述封装结构还包括与所述散热结构背离所述非露背芯片的一侧和所述露背芯片的背面均热传导连接的散热盖板或多层金属沉积层。

13.根据权利要求12所述的封装结构,其特征在于:所述散热盖板或多层金属沉积层可以为平片状或局部帽型。

14.根据权利要求12或13所述的封装结构,其特征在于:所述散热结构和散热盖板均与所述衬底的接地线电性连接;或,所述散热结构和多层金属沉积层均与所述衬底的接地线电性连接。

15.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述衬底为重布线堆叠层,或所述衬底为有埋入芯片的扇出型重布线转接中介层,或所述衬底为带被动与主动器件的硅转接中介层。

16.一种封装结构的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

将至少两个芯片倒装或表面贴装在衬底的第一表面上;

通过散热界面键合材料将散热结构贴装在至少一个芯片的背面;

进行晶圆或板级塑封形成注塑件;

将散热结构的背面和背面未贴装散热结构的芯片的背面露出所述注塑件;

在所述衬底的第二表面形成锡球或多层金属凸块。

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