[发明专利]封装载板及其制作方法在审
| 申请号: | 202110377257.9 | 申请日: | 2021-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN115206923A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
| 发明(设计)人: | 刘汉诚;柯正达;林溥如;杨凯铭;郭季海;彭家瑜;曾子章 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;黄健 |
| 地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 装载 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种封装载板及其制作方法。封装载板包括第一重配置线路层及第二重配置线路层。第一重配置线路层具有第一上表面与第一下表面且包括多个第一重配置线路、多个导电通孔、多个光敏介电层及多个芯片接垫。第二重配置线路层配置于第一重配置线路层的第一上表面上。第二重配置线路层具有第二上表面与第二下表面且包括多个第二重配置线路、多个导电结构、多个味之素堆积薄膜层及多个焊球接垫。第二重配置线路层的第二下表面切齐于且直接连接第一重配置线路层的第一上表面。每一第一重配置线路的线宽与线距小于每一第二重配置线路的线宽与线距。本发明的封装载板及其制作方法,可有效解决制程中基板翘曲问题,并可提高产出率及降低生产成本。
技术领域
本发明涉及一种半导体结构及其制作方法,尤其涉及一种封装载板及其制作方法。
背景技术
以内埋式高密度薄膜(embedded High Density Film,eHDF)的封装结构而言,结构中的高密度薄膜为晶圆制程,仅适用于单面线路增层结构,且需搭配半导体设备,因而无法达到高产出量及低成本需求。于另一方面,在有机基板增层时,局限于单面增层结构,虽然有暂时性晶圆基板支撑整体结构,但仍无法有效解决制程中基板翘曲问题。再者,芯片端表面处理流程需拆板后才能进行,仅适用现有软板封装制程,并无法广泛应用于其它封装制程,例如载板制程等。此外,局部埋入式光敏介电层结构为非等向性结构,因而较难控制在X方向及Y方向的涨缩量。
发明内容
本发明是针对一种封装载板及其制作方法,可达成双面线路增层结构的制作,有效解决制程中基板翘曲问题,并可提高产出率(high throughput)及降低生产成本。
根据本发明的实施例,封装载板包括第一重配置线路层以及第二重配置线路层。第一重配置线路层具有彼此相对的第一上表面与第一下表面。第一重配置线路层包括多个第一重配置线路、多个导电通孔、多个光敏介电层以及多个芯片接垫。第一重配置线路与光敏介电层交替堆迭,且导电通孔电性连接相邻两第一重配置线路。芯片接垫位于第一下表面上且通过导电通孔与第一重配置线路电性连接。第二重配置线路层配置于第一重配置线路层的第一上表面上,且具有彼此相对的第二上表面与第二下表面。第二重配置线路层包括多个第二重配置线路、多个导电结构、多个味之素堆积薄膜层(Ajinomoto Build-upFilm,ABF)以及多个焊球接垫。第二重配置线路与味之素堆积薄膜层交替堆迭,且导电结构电性连接相邻两第二重配置线路以及最邻近第二重配置线路的第一重配置线路中的一个。味之素堆积薄膜层中的一个具有第二上表面且暴露出焊球接垫。第二重配置线路层的第二下表面切齐于且直接连接第一重配置线路层的第一上表面。每一第一重配置线路的线宽与线距小于每一第二重配置线路的线宽与线距。
在根据本发明的实施例的封装载板中,上述的每一第一重配置线路的线宽与线距的范围分别为2微米至10微米。
在根据本发明的实施例的封装载板中,上述的每一第二重配置线路的线宽与线距的范围分别为15微米至35微米。
在根据本发明的实施例的封装载板中,上述的第一重配置线路包括第一线路层以及多个第二线路层。光敏介电层包括第一介电层、至少一第二介电层以及第三介电层。第一介电层覆盖第一线路层且与第一线路层定义出第一上表面。第二介电层与第三介电层覆盖第二线路层,且芯片接垫位于第三介电层上,而第三介电层具有第一下表面。
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