[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110335728.X | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN115132681A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 叶昶麟;胡逸群 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/427 | 分类号： | H01L23/427;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/16 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
芯片；
模封层，包覆所述芯片；
粘合层，设于所述模封层上；
吸液芯层，设于所述粘合层上，所述吸液芯层内部设有蒸汽流通腔和支撑体；
密封层，覆盖所述吸液芯层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述粘合层包括自下而上依次设置的附着层和接合层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述接合层包括金、银或其合金。
4.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其中，所述芯片的背面从模封层的上表面露出，所述附着层包括不锈钢或钛；或
所述芯片的背面未从模封层的上表面露出，所述附着层包括不锈钢。
5.根据权利要求1-3中任一所述的半导体结构，其中，所述吸液芯层内部还设有隔板。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述支撑体的底部和/或所述隔板的底部设有加固体。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述密封层包括不锈钢和铜；或所述密封层包括钛、铜以及不锈钢；或所述密封层包括钛、铝以及不锈钢；或所述密封层包括纳米银胶。
8.根据权利要求1或7所述的半导体结构，其中，所述密封层还覆盖所述粘合层的侧表面、所述模封层的侧表面以及所述基板的侧表面。
9.根据权利要求1-3中任一所述的半导体结构，其中，所述吸液芯层包括上吸液芯层、下吸液芯层以及连通所述上吸液芯层和所述下吸液芯层的回流加速通道。
10.根据权利要求1-3中任一所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括连通所述蒸汽流通腔的抽真空孔以及设置在所述抽真空孔内部的密封体。
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