[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

上基底，具有彼此背对的第一表面和第二表面；

半导体芯片，位于上基底的第一表面上；

缓冲层，位于上基底的第二表面上；

模制层，位于上基底的第二表面与缓冲层之间；

多个贯穿电极，穿透上基底和模制层；

互连层，位于上基底的第一表面与半导体芯片之间，并且被构造为将半导体芯片电连接到所述多个贯穿电极；以及

多个凸块，设置在缓冲层上，与模制层间隔开，并且电连接到所述多个贯穿电极，

其中，模制层包括热膨胀系数大于上基底的热膨胀系数的绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，模制层包括二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

绝缘衬里，覆盖所述多个贯穿电极中的每个的第一部分的侧壁，

其中，所述多个贯穿电极中的每个的第一部分穿透上基底。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，

其中，绝缘衬里还覆盖所述多个贯穿电极中的每个的第二部分的侧壁，并且

其中，所述多个贯穿电极中的每个的第二部分穿透模制层。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

绝缘层，位于上基底的第二表面与模制层之间，

其中，所述多个贯穿电极中的每个包括穿透绝缘层的第三部分，并且

其中，绝缘衬里还覆盖所述多个贯穿电极中的每个的第三部分的侧壁。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

绝缘层，位于上基底的第二表面与模制层之间，

其中，所述多个贯穿电极中的每个穿透绝缘层，并且

其中，绝缘层的厚度比模制层的厚度小。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，模制层的厚度比上基底的厚度小。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，缓冲层包括与模制层接触的第一表面和与缓冲层的第一表面背对的第二表面，

其中，所述多个凸块中的每个包括头部和柱部，

其中，所述柱部从所述头部延伸到缓冲层中，并且连接到所述多个贯穿电极中的对应的贯穿电极，并且

其中，所述头部连接到所述柱部，并且设置在缓冲层的第二表面上。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

多个导电垫，被掩埋在缓冲层中，并且与缓冲层的第一表面相邻，

其中，所述多个凸块中的每个的柱部通过所述多个导电垫中的对应的导电垫连接到对应的贯穿电极。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，

其中，缓冲层的一部分水平地设置在所述多个导电垫之间，并且与模制层接触。

11.根据权利要求8所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

再分布层，设置在模制层与缓冲层之间，

其中，再分布层包括多个再分布图案，并且

其中，所述多个凸块中的每个通过所述多个再分布图案中的至少一个再分布图案连接到对应的贯穿电极。

12.根据权利要求8所述的半导体封装件，

其中，所述多个凸块中的每个的柱部与所述多个贯穿电极中的对应的贯穿电极接触。