[发明专利]一种半导体封装电磁屏蔽结构及其使用方法

说明书

本发明涉及一种半导体封装电磁屏蔽结构及其使用方法，包括基板和密封罩，所述基板的前后端设置有水平置孔，且基板的两侧设置有竖直置孔，所述基板的中部内侧设置有内容槽，且内容槽的表面中心设置有半导体芯片，所述内容槽的两侧中部设置有竖直卡槽，且竖直卡槽的两侧设置有竖直通孔，所述内容槽的前后端中部设置有水平卡槽。该半导体封装电磁屏蔽结构及其使用方法设置有炭黑层，炭黑层由不同极性的高聚物与炭黑混合而成，不同极性的高聚物与炭黑组成共混体系的极性越大，炭黑临界体积分数就越大，意味着体系的导电性下降，从而有效的对密封罩内部的半导体芯片进行电磁屏蔽，避免半导体芯片受电磁影响从而造成自身损伤。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种半导体封装电磁屏蔽结构及其使用方法。

背景技术

在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓，锗等半导体材料，半导体器件最终是使用在PCB电路板上，通过电路板上的线路设计和半导体器件等电子元件的配置连接，可形成完整的电路架构，以提供电子设备所需要的功能，半导体器件与电路板之间是否可靠地连接决定了电子设备的功能正常与否，目前，传统半导体功率器件与电路板之间通常有通孔式和贴片式两种，在生产过程中，通孔式连接需要人工焊接，焊接效率低、成本高，且焊接过程中往往会由于人工操作不当对半导体器件造成损伤，导致产品生产良率低。而贴片式封装的半导体器件更容易实现电子设备大规模自动化生产，因此，越来越多的半导体器件采用贴片式与电路板进行连接。

现有的半导体封装结构不具有电磁屏蔽性能导致半导体芯片易受电磁影响从而造成自身损伤，少数具有电磁屏蔽性能的封装结构在使用及安装时易受到损坏从而造成电磁泄漏，同时半导体封装结构的电磁屏蔽存在一定的疏漏也可造成电磁泄漏，为此，我们提出一种半导体封装电磁屏蔽结构及其使用方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体封装电磁屏蔽结构及其使用方法，以解决上述背景技术中提出的现有的半导体封装结构不具有电磁屏蔽性能导致半导体芯片易受电磁影响从而造成自身损伤，少数具有电磁屏蔽性能的封装结构在使用及安装时易受到损坏从而造成电磁泄漏，同时半导体封装结构的电磁屏蔽存在一定的疏漏也可造成电磁泄漏的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体封装电磁屏蔽结构及其使用方法，包括基板和密封罩，所述基板的前后端设置有水平置孔，且基板的两侧设置有竖直置孔，所述基板的中部内侧设置有内容槽，且内容槽的表面中心设置有半导体芯片，所述内容槽的两侧中部设置有竖直卡槽，且竖直卡槽的两侧设置有竖直通孔，所述内容槽的前后端中部设置有水平卡槽，且水平卡槽的两侧设置有水平通孔，所述密封罩设置于半导体芯片的上方，且密封罩的内外表面涂设有炭黑层，所述密封罩的外侧前端中部设置有水平卡块，且水平卡块的两侧设置有水平缺口，所述密封罩的外部两侧中端设置有竖直卡块，且竖直卡块的两侧设置有竖直缺口，所述内容槽的下方设置有导热板，且内容槽的水平表面设置有出线槽，所述出线槽的内部设置有线路，且出线槽的外侧设置有扣条。

优选的，所述基板与内容槽之间为一体结构，且密封罩通过水平卡块与水平卡槽构成卡合结构。

优选的，所述水平卡块沿着密封罩的水平中轴线对称分布，且竖直卡块沿着密封罩的竖直中轴线对称分布。

优选的，所述密封罩与炭黑层之间紧密贴合，且密封罩的表面积与炭黑层的覆盖面相同。

优选的，所述水平置孔与水平缺口之间处于同一水平面上，且水平置孔与水平缺口之间相连通。

优选的，所述导热板包括导热金属层、氮化硅绝缘层和氧化铝绝缘层，且导热金属层的下方设置有氮化硅绝缘层，所述氮化硅绝缘层的下方设置有氧化铝绝缘层。

优选的，所述导热金属层与氮化硅绝缘层之间相粘结，且氮化硅绝缘层与氧化铝绝缘层之间相贴合。

优选的，所述内容槽通过出线槽与扣条构成卡扣结构，且内容槽与扣条之间为胶接连接。