[发明专利]一种半导体封装电磁屏蔽结构及其使用方法

权利要求书

1.一种半导体封装电磁屏蔽结构，包括基板（1）和密封罩（4），其特征在于：所述基板（1）的前后端设置有水平置孔（2），且基板（1）的两侧设置有竖直置孔（3），所述基板（1）的中部内侧设置有内容槽（10），且内容槽（10）的表面中心设置有半导体芯片（15），所述内容槽（10）的两侧中部设置有竖直卡槽（11），且竖直卡槽（11）的两侧设置有竖直通孔（12），所述内容槽（10）的前后端中部设置有水平卡槽（13），且水平卡槽（13）的两侧设置有水平通孔（14），所述密封罩（4）设置于半导体芯片（15）的上方，且密封罩（4）的内外表面涂设有炭黑层（5），所述密封罩（4）的外侧前端中部设置有水平卡块（6），且水平卡块（6）的两侧设置有水平缺口（7），所述密封罩（4）的外部两侧中端设置有竖直卡块（8），且竖直卡块（8）的两侧设置有竖直缺口（9），所述内容槽（10）的下方设置有导热板（16），且内容槽（10）的水平表面设置有出线槽（17），所述出线槽（17）的内部设置有线路（18），且出线槽（17）的外侧设置有扣条（19）。

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装电磁屏蔽结构，其特征在于：所述基板（1）与内容槽（10）之间为一体结构，且密封罩（4）通过水平卡块（6）与水平卡槽（13）构成卡合结构。

3.根据权利要求1所述的一种半导体封装电磁屏蔽结构，其特征在于：所述水平卡块（6）沿着密封罩（4）的水平中轴线对称分布，且竖直卡块（8）沿着密封罩（4）的竖直中轴线对称分布。

4.根据权利要求1所述的一种半导体封装电磁屏蔽结构，其特征在于：所述密封罩（4）与炭黑层（5）之间紧密贴合，且密封罩（4）的表面积与炭黑层（5）的覆盖面相同。

5.根据权利要求1所述的一种半导体封装电磁屏蔽结构，其特征在于：所述水平置孔（2）与水平缺口（7）之间处于同一水平面上，且水平置孔（2）与水平缺口（7）之间相连通。

6.根据权利要求1所述的一种半导体封装电磁屏蔽结构，其特征在于：所述导热板（16）包括导热金属层（1601）、氮化硅绝缘层（1602）和氧化铝绝缘层（1603），且导热金属层（1601）的下方设置有氮化硅绝缘层（1602），所述氮化硅绝缘层（1602）的下方设置有氧化铝绝缘层（1603）。

7.根据权利要求6所述的一种半导体封装电磁屏蔽结构，其特征在于：所述导热金属层（1601）与氮化硅绝缘层（1602）之间相粘结，且氮化硅绝缘层（1602）与氧化铝绝缘层（1603）之间相贴合。

8.根据权利要求1所述的一种半导体封装电磁屏蔽结构，其特征在于：所述内容槽（10）通过出线槽（17）与扣条（19）构成卡扣结构，且内容槽（10）与扣条（19）之间为胶接连接。

9.根据权利要求1至8所述的一种半导体封装电磁屏蔽结构及其使用方法，其特征在于：所述其使用方法：基板（1）的表面中部设置有内容槽（10），内容槽（10）的上端与基板（1）的表面齐平，内容槽（10）的内侧底部四周设置有竖直卡槽（11）和水平卡槽（13），将半导体芯片（15）背面焊接在内容槽（10）内部平面上，密封罩（4）的外侧底部四周设置有水平卡块（6）和竖直卡块（8），用于将密封罩（4）卡合于内容槽（10）内侧底部四周的竖直卡槽（11）和水平卡槽（13）中，将密封罩（4）进行固定，密封罩（4）的外侧涂设有炭黑层（5），对密封罩（4）内部的半导体芯片（15）进行电磁屏蔽，基板（1）表面设置有出线槽（17），出线槽（17）位于基板（1）表面凹陷处，线路（18）通过扣条（19）进行限位，同时上表面通过封装树脂进行封装，线路（18）通过竖直通孔（12）和水平通孔（14）穿过竖直置孔（3）和水平置孔（2）拉出，竖直置孔（3）和水平置孔（2）的孔端通过封装树脂进行封装，基板（1）下端设置有导热板（16），有效的对半导体芯片（15）及线路（18）产生的热量进行扩散。