[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一半导体结构；以及

一第一连接结构，包括一第一连接隔离层、两个第一导电层以及一第一多孔层，该第一连接隔离层位在该第一半导体结构上，该两个第一导电层位在该第一连接隔离层中，该多孔层位在该两个第一导电层之间；

其中，该第一多孔层的一孔隙率介于大约25％到大约100％之间。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一连接隔离层包括一第一下隔离层以及一第一上隔离层，该第一下隔离层位在该第一半导体结构上，该第一上隔离层位在该第一下隔离层上，其中该两个第一导电层穿过该第一下隔离层与该第一上隔离层，且该第一多孔层穿过该第一上隔离层并延伸进入该第一下隔离层。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该两个第一导电层包括两个第一部分以及两个第二部分，该两个第一部分位在该第一半导体结构上，该两个第二部分位在该两个第一部分上，其中该两个第二部分的一宽度大于该两个第一部分的一宽度。

4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括多个第一上衬垫，位在该第一上隔离层上，并围绕该两个第二部分设置。

5.如权利要求4所述的半导体元件，还包括多个第一下衬垫，位在该多个第一上衬垫与该第一上隔离层之间、在该两个第一导电层与该第一上隔离层之间、在该二第一导电层与该第一下隔离层之间、在该第一多孔层与该第一上隔离层之间，以及在该第一多孔层与该第一下隔离层之间。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中，该多个第一下衬垫的下表面位在一垂直高度，是高于该第一半导体结构的一上表面的一垂直高度。

7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括多个阻障层，位在该两个第一导电层与该多个第一上衬垫之间、在该两个第一导电层与该多个第一下衬垫之间、在该两个第一导电层与该第一上隔离层之间，以及在该两个第一导电层与该第一半导体结构之间。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中，该第一半导体结构包括多个第一导电特征，位在该两个第一部分下方，其中该多个第一导电特征的一宽度大于该两个第一部分的一宽度。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一第二半导体结构，位在该第一连接结构上，并包括多个第二导电特征，位在该两个第二部分上，其中该多个第二导电特征的一宽度大于该两个第二部分的该宽度。

10.如权利要求9所述的半导体元件，还包括一第三多孔层，位在该多个第一上衬垫与该第二半导体结构之间，并围绕该两个第二部分设置，其中该第三多孔层的一孔隙率介于大约25％到大约50％之间。

11.如权利要求9所述的半导体元件，还包括一第三多孔层以及一第四多孔层，该第三多孔层位在该多个第一上衬垫上，该第四多孔层位在该第三多孔层与该第二半导体结构之间，其中该第四多孔层的一孔隙率小于该第三多孔层的一孔隙率。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中，该第三多孔层的该孔隙率介于大约50％到大约85％之间。

13.如权利要求9所述半导体元件，其中，该第二半导体结构包括多个保护环，位在该第一连接结构上，且该第一连接结构包括多个第一支撑层，位在该多个保护环下方，其中该多个第一支撑层的一厚度小于该两个第一导电层的一厚度。

14.如权利要求9所述的半导体元件，还包括一第二连接结构，位在该第一连接结构与该第二半导体结构之间，其中该第二连接结构包括二第二导电层以及一第二多孔层，该二第二导电层位在该两个第一导电层与该多个第二导电特征之间，该第二多孔层位在该二第二导电层之间，其中该第二多孔层的一孔隙率介于大约25％到大约100％之间。