[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底，具有一阵列区以及一周围区，该周围区邻近该阵列区设置；

一第一栅极结构，位在该阵列区中；以及

一第二栅极结构，位在该周围区中；

其中，该第一栅极结构的一宽度小于该第二栅极结构的一宽度，且该第一栅极结构的一深度小于该第二栅极结构的一深度。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一栅极结构包括一第一栅极隔离层、一第一栅极导电层以及一第一下盖层，该第一栅极隔离层朝内位在该阵列区中，该第一栅极导电层位在该第一栅极隔离层上，该第一下盖层位在该第一栅极导电层上，其中该第一下盖层的一顶表面与该基底的一顶表面位在相同的一垂直水平面处。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该第一栅极导电层的一顶表面位在一垂直水平面，是高于该第一栅极隔离层的顶表面的一垂直水平面。

4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括多个第一掺杂区，位在邻近该第一栅极结构的两侧处，其中所述第一掺杂区的底表面与该第一栅极导电层的该顶表面位在相同的一垂直水平面处。

5.如权利要求4所述的半导体元件，还包括一第一栅极衬垫，位在该第一栅极隔离层与该第一栅极导电层之间。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中，该第一栅极衬垫的顶表面位在一垂直水平面，是低于该第一栅极导电层的顶表面的该垂直水平面。

7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括一第二栅极结构，该第二栅极结构包括一第二栅极隔离层、第二栅极导电层以及一第二下盖层，该第二栅极隔离层朝内位在该周围区内，该第二栅极导电层位在该第二栅极导电层上，该第二下盖层位在该第二栅极导电层上，其中该第二下盖层的一顶表面与该基底的该顶表面位在相同的一垂直水平面处，而该第二栅极导电层的一顶表面位在一垂直水平面，是低于与该第一栅极导电层的该顶表面的该垂直水平面。

8.如权利要求7所述的半导体元件，还包括多个第二掺杂区，位在邻近该第二栅极结构的两侧处，其中所述第二掺杂区的底表面与该第二栅极导电层的该顶表面位在相同的一垂直水平面。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一第一上盖层，位在该第一下盖层上。

10.如权利要求9所述的半导体元件，还包括多个第三掺杂区，位在邻近该第一上盖层的两侧处，并位在该多个第一掺杂区上。

11.如权利要求10所述的半导体元件，还包括多个第一绝缘结构以及多个第二绝缘结构，该多个第一绝缘结构位在该阵列区中，该多个第二绝缘结构位在该周围区中，其中该第一栅极结构位在一相邻对的第一绝缘结构之间，该第二栅极结构位在一相邻对的第二绝缘结构之间。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中，该多个第二绝缘结构的一深度大于该多个第一绝缘结构的一深度。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中，该第一上盖层的一孔隙率介于10％到30％之间。

14.如权利要求12所述的半导体元件，其中，该第一栅极隔离层具有一厚度，介于到之间。

15.如权利要求12所述的半导体元件，其中，该第一栅极衬垫具有一厚度，介于到之间。