[发明专利]半导体封装

说明书

揭示一种半导体器件。所述半导体器件包括重分布结构、处理器芯片和金属柱。所述重分布结构包含连接结构，所述连接结构包含导电单元、焊料凸块、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、多个第一通孔以及多个第二通孔。所述金属柱具有第一端和第二端。所述金属柱的第一端连接到所述重分布结构。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种晶圆级芯片尺寸封装(waferlevel chip scale packages(WLCSP))。

背景技术

在半导体产业中，芯片(die)内的集成密度成长迅速。芯片包括大量的主动与被动电子器件，因此可在所述芯片中执行多种功能。可在硅晶圆上通过半导体制程来行程所述电子器件。在完成所述电子器件的制程后，可将所述晶圆分离成多个芯片。之后对每一芯片进行封装处理，进而在所述芯片外形成保护性封装。所述芯片封装也可作为芯片和印刷电路板间的连接介面。积体电路的常见应用包括行动电话系统、电视系统、个人电脑系统与网路系统。

已发展出多种封装类型，例如双列直插管脚封装(DIP)、四方形平面封装(QFP)、球栅阵列(BGA)及晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。DIP在两平行侧边上有连接管脚。DIP通常使用通孔安装或插座，以供放置于印刷电路板上。DIP通常包括填充于金属引线框架的绝缘材料。

QFP通常会有翅状引线由所述封装的四周延伸。QFP的接点只能位于所述封装的周边区域，因此其管脚数目受限。BGA可使用整个表面以形成接点阵列，而使得其能够提供更高的球数。所述接点阵和所述芯片间的长度较短，这对高速信号传输更为有利。WLCSP的封装器件尺寸和芯片尺寸几乎相等。WLCSP通常小于BGA封装。但是，现存的WLCSP的结构形状不佳，造成信号完整性(integrity)以及结构稳定性不好。所以，业界非常需要新的WLCSP，来达到较佳的信号完整性以及结构稳定性。

发明内容

发明人在观察到上述的技术问题后，提出了本发明，以解决上述的一个或多个技术问题。

本发明的一个目的在于提供一种半导体器件，其重分布结构具有特殊的连接结构，可达到较佳的信号完整性以及结构稳定性。

根据本发明一态样，揭示一种半导体器件。所述半导体器件包括重分布结构、处理器芯片以及金属柱。所述处理器芯片具有有源侧和背侧。所述有源侧朝向第一方向。所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构。

所述重分布结构包含连接结构，所述连接结构包含导电单元、焊料凸块、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、多个第一通孔以及多个第二通孔，所述导电单元具有凸缘,所述导电单元包含折边、倾斜侧壁以及底部，所述焊料凸块位于导电单元上,所述焊料凸块直接接触所述导电单元，所述第一绝缘层在折边下方，所述第二绝缘层在所述导电单元的底部下方,第二绝缘层具有第一通孔区，所述第三绝缘层在所述第二绝缘层之下,所述第三绝缘层具有第二通孔区，所述多个第一通孔位于所述第一通孔区之内,所述多个第一通孔不在所述导电单元的底部下方，所述多个第二通孔位于所述第二通孔区之内,所述第二通孔区在所述导电单元的垂直投影之内。

所述金属柱具有第一端和第二端。所述金属柱的第一端连接到所述重分布结构。所述第一端朝向所述第一方向。

根据本发明另一态样，揭示一种半导体器件。所述半导体器件包括重分布结构、处理器芯片以及金属柱。所述处理器芯片具有有源侧和背侧。所述有源侧朝向第一方向。所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构。