[发明专利]半导体封装在审
| 申请号： | 202110161981.8 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN112968016A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 吴澄玮 | 申请（专利权）人： | 巴迪磊博公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/498;H01L25/18;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 塞舌尔共和*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：
重分布结构，所述重分布结构具有前表面和后表面,所述重分布结构至少包括三层的金属层，中间层金属层具有多个孔洞，所述多个孔洞形成网状结构；
多个金属柱；
处理器芯片，所述处理器芯片具有有源侧和背侧，所述处理器芯片的有源侧通过所述多个金属柱连接到所述重分布结构的前表面，所述处理器芯片的有源侧具有钝化层；
黏着层，所述黏着层位在所述处理器芯片的背侧上；
绝缘层，所述绝缘层位于所述钝化层和所述重分布结构之间；以及
电容，所述电容位于所述重分布结构的后表面，所述电容位于所述处理器芯片的垂直投影之内；
其中，所述重分布结构和所述处理器芯片之间形成凹部，所述处理器芯片的芯片边缘和所述绝缘层的外缘之间有水平位移。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述中间层金属层包括金属迹线，所述金属迹线位于所述多个孔洞之间，所述孔洞的宽度大于所述金属迹线的宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述重分布结构包括多个导电通孔，所述多个导电通孔包括底部和环状折边。
4.一种电子器件，其特征在于，包括：
重分布结构，所述重分布结构具有前表面和后表面，所述重分布结构至少包括三层的金属层，中间层金属层包括多个孔洞，所述多个孔洞形成网状结构；
处理器芯片，所述处理器芯片具有有源侧和背侧，所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构的前表面，所述处理器芯片的有源侧具有钝化层；
黏着层，所述黏着层位在所述处理器芯片的背侧上；
绝缘层，所述绝缘层位于所述钝化层和所述重分布结构之间；
第一组焊料凸块；
第二组焊料凸块,所述第二组焊料凸块连接于所述重分布结构的后表面；
多个导电柱，所述多个导电柱连接到所述第一组焊料凸块，所述多个导电柱连接到所述重分布结构的前表面；以及
DRAM模块，所述DRAM模块连接到第一组焊料凸块；
其中，所述重分布结构的面积大于所述DRAM模块的面积；以及
其中，所述重分布结构和所述处理器芯片之间形成凹部，所述处理器芯片的芯片边缘和所述绝缘层的外缘之间有水平位移。
5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述重分布结构包括多个导电通孔，所述多个导电通孔包括底部和环状折边。
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