[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110052800.8 申请日: 2021-01-15
公开(公告)号: CN113140518A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 原田正刚 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L23/053;H01L23/31;H01L25/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

本发明的目的在于得到一种容易将树脂的气泡排出的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有:基板;半导体芯片,其设置于该基板之上;壳体,其具有壁部分和檐部,该壁部分设置于该基板之上,将该半导体芯片包围,该檐部从该壁部分向被该壁部分包围的区域的内侧凸出;以及树脂,其填充被该壁部分包围的区域,该檐部具有上表面和斜面,该斜面设置于该上表面的下方,离该檐部的前端越远则与该基板的距离越近,在该檐部形成从该斜面贯通至该上表面的贯通孔,该贯通孔从该斜面垂直地延伸。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

专利文献1中公开了一种半导体装置,其具有:基板;壳体,其将基板之上的区域包围;树脂,其填充于壳体;以及半导体元件,其被树脂覆盖。壳体具有:壁部分,其向上方延伸;以及凸出部,其与壁部分相连,向基板的中央方向凸出。在壳体的凸出部设置有将凸出部贯通的贯通孔。当在树脂进入凸出部与基板之间的区域时发生了气泡的卷入的情况下,气泡从贯通孔排出。因此,能够使树脂无间隙地填充至凸出部与基板之间的区域。

专利文献1:日本特开2017-152472号公报

就专利文献1的半导体装置而言,在形成贯通孔的入口的凸出部的边缘形成锐角的部分。气泡有可能挂在该锐角的部分。因此,有可能难以将气泡引入贯通孔而排出至凸出部的上表面侧。在该情况下,需要通过X射线检查进行气泡的筛选,有可能增加制造上的工作量。

发明内容

本发明是为了解决上述的课题而提出的,其目的在于,得到容易将树脂的气泡排出的半导体装置。

第1技术方案所涉及的半导体装置具有:基板;半导体芯片,其设置于该基板之上;壳体,其具有壁部分和檐部,该壁部分设置于该基板之上,将该半导体芯片包围,该檐部从该壁部分向被该壁部分包围的区域的内侧凸出;以及树脂,其填充被该壁部分包围的区域,该檐部具有上表面和斜面,该斜面设置于该上表面的下方,离该檐部的前端越远则与该基板的距离越近,在该檐部形成从该斜面贯通至该上表面的贯通孔,该贯通孔从该斜面垂直地延伸。

第2技术方案所涉及的半导体装置具有:基板;半导体芯片,其设置于该基板之上;壳体,其具有壁部分和檐部,该壁部分设置于该基板之上,将该半导体芯片包围,该檐部从该壁部分向被该壁部分包围的区域的内侧凸出;以及树脂,其填充被该壁部分包围的区域,该檐部具有上表面和在该上表面的下方设置的下表面,在该檐部形成从该下表面贯通至该上表面的贯通孔,该贯通孔由第1部分和第2部分形成,该第1部分从该下表面延伸,离该下表面越远则宽度越窄,该第2部分与该第1部分相比形成于该上表面侧,该檐部的形成该第2部分的侧面相对于该檐部的形成该第1部分的侧面倾斜。

第3技术方案所涉及的半导体装置具有:基板;半导体芯片,其设置于该基板之上;壳体,其具有壁部分和檐部,该壁部分设置于该基板之上,将该半导体芯片包围,该檐部从该壁部分向被该壁部分包围的区域的内侧凸出;以及树脂,其填充被该壁部分包围的区域,该檐部具有上表面和在该上表面的下方设置的下表面,在该檐部形成从该下表面贯通至该上表面的贯通孔,在该贯通孔的该下表面侧,形成该贯通孔的入口的该檐部的边缘被倒圆。

发明的效果

就第1技术方案所涉及的半导体装置而言,贯通孔从檐部的斜面垂直地延伸。因此,在贯通孔的入口不形成锐角的部分,能够抑制气泡挂在贯通孔的入口。因此,能够容易地将树脂的气泡排出。

就第2技术方案所涉及的半导体装置而言,贯通孔具有从檐部的下表面延伸、离下表面越远则宽度越窄的第1部分。因此,能够容易地将树脂的气泡排出。

就第3技术方案所涉及的半导体装置而言,形成贯通孔的入口的檐部的边缘被倒圆。因此,能够抑制气泡挂在檐部的边缘。因此,能够容易地将树脂的气泡排出。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的半导体装置的俯视图。

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