[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基板；

半导体芯片，其设置于所述基板之上；

壳体，其具有壁部分和檐部，该壁部分设置于所述基板之上，将所述半导体芯片包围，该檐部从所述壁部分向被所述壁部分包围的区域的内侧凸出；以及

树脂，其填充被所述壁部分包围的区域，

所述檐部具有上表面和斜面，该斜面设置于所述上表面的下方，离所述檐部的前端越远则与所述基板的距离越近，在该檐部形成从所述斜面贯通至所述上表面的贯通孔，

所述贯通孔从所述斜面垂直地延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述贯通孔由第1部分和第2部分形成，该第1部分从所述斜面垂直地延伸，该第2部分相对于所述第1部分向所述檐部的前端侧倾斜，延伸至所述上表面。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2部分与所述上表面垂直。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1部分与所述第2部分所成的角是钝角。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述贯通孔的所述斜面侧，形成所述贯通孔的入口的所述檐部的边缘被倒圆。

6.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基板；

半导体芯片，其设置于所述基板之上；

壳体，其具有壁部分和檐部，该壁部分设置于所述基板之上，将所述半导体芯片包围，该檐部从所述壁部分向被所述壁部分包围的区域的内侧凸出；以及

树脂，其填充被所述壁部分包围的区域，

所述檐部具有上表面和在所述上表面的下方设置的下表面，在所述檐部形成从所述下表面贯通至所述上表面的贯通孔，

所述贯通孔由第1部分和第2部分形成，该第1部分从所述下表面延伸，离所述下表面越远则宽度越窄，该第2部分与所述第1部分相比形成于所述上表面侧，

所述檐部的形成所述第2部分的侧面相对于所述檐部的形成所述第1部分的侧面倾斜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2部分的宽度均匀。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，

所述下表面是离所述檐部的前端越远则与所述基板的距离越近的斜面。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述贯通孔的所述下表面侧，形成所述贯通孔的入口的所述檐部的边缘被倒圆。

10.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基板；

半导体芯片，其设置于所述基板之上；

壳体，其具有壁部分和檐部，该壁部分设置于所述基板之上，将所述半导体芯片包围，该檐部从所述壁部分向被所述壁部分包围的区域的内侧凸出；以及

树脂，其填充被所述壁部分包围的区域，

所述檐部具有上表面和在所述上表面的下方设置的下表面，在所述檐部形成从所述下表面贯通至所述上表面的贯通孔，

在所述贯通孔的所述下表面侧，形成所述贯通孔的入口的所述檐部的边缘被倒圆。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述宽带隙半导体是碳化硅、氮化镓类材料或者金刚石。