[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110035145.5 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN113053857A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郑安皓;郭舫廷;陈彦羽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
第一互连层，设置在衬底上，其中，所述第一互连层包括导电结构；
电容器结构，形成在所述第一互连层的导电结构上，其中，所述电容器结构包括：
第一电极双层，包括第一层和第二层，所述第一层和所述第二层的每个包括不同的氮浓度；
介电层，设置在所述第一电极双层的所述第二层上；和
第二电极双层，位于所述介电层上，所述第二电极双层包括第三层和第四层，所述第三层和所述第四层的每个包括不同的氮浓度；以及
第二互连层，位于所述电容器结构上，其中，所述第二互连层的导电结构与所述第二电极双层的所述第四层接触。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二电极双层的所述第三层与所述介电层接触。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一层的氮浓度低于所述第二层的氮浓度。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第四层的氮浓度低于所述第三层的氮浓度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一层比所述第二层厚。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第四层比所述第三层厚。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一电极双层和所述第二电极双层具有相似的表面积。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
覆盖层，设置在所述第四层的顶面上；以及
堆叠件，覆盖所述覆盖层的顶面和所述电容器结构的侧壁表面。
9.一种半导体结构，包括：
第一互连层，设置在衬底上；
电容器结构，形成在所述第一互连层上，其中，所述电容器结构包括：
第一电极双层，包括第一层和第二层，所述第一层和所述第二层的每个包括不同的氮浓度；和
第二电极双层，包括第三层和第四层，所述第三层和所述第四层的每个包括不同的氮浓度，其中，所述第一电极双层和所述第二电极双层具有非重叠区域；以及
第二互连层，位于所述电容器结构上。
10.一种形成半导体结构的方法，包括：
在衬底上形成第一互连层；
在所述第一互连层上沉积第一电极双层，其中，所述第一电极双层包括具有不同氮浓度的第一层和第二层；
在所述第一电极双层上沉积介电层，使得所述介电层与所述第二层接触；
在所述第一互连层上沉积第二电极双层，其中，所述第二电极双层包括具有不同氮浓度的第三层和第四层；
图案化所述第一电极双层、所述介电层和所述第二电极双层，以在所述第一互连层上形成电容器结构；以及
在所述电容器结构上形成第二互连层，其中，所述第二互连层的导电结构与所述第二电极双层接触。
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