[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有多个相互间隔的沟槽和多个相互间隔的位线结构，且所述位线结构至少部分位于所述沟槽中；

形成第一保护层，所述第一保护层至少包括覆盖所述位线结构侧壁的第一侧壁层和覆盖所述沟槽表面的第二侧壁层；

形成第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层填充满所述沟槽，且所述第二保护层至少包括由热氧化法形成的氧化硅层；

形成第三保护层，所述第三保护层至少覆盖所述第二保护层远离所述基底的顶面，且所述第二保护层和所述第三保护层覆盖所述第一侧壁层的表面；

其中，形成所述第三保护层的工艺步骤包括：

于所述第二保护层远离所述基底的顶面和所述第一保护层的部分表面沉积初始第二介质层；

去除部分所述初始第二介质层，形成第二介质层，且沿所述位线结构指向所述第一侧壁层的方向上，所述第二介质层的厚度大于所述第二保护层的厚度；

于所述第二介质层的表面沉积初始第三介质层；

去除部分所述初始第三介质层，形成第三介质层；

所述第二介质层和所述第三介质层构成所述第三保护层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述基底还具有多个相互间隔的浅沟槽隔离结构，所述位线结构包括第一位线结构和第二位线结构，所述第一位线结构部分位于所述沟槽中，所述第二位线结构位于所述浅沟槽隔离结构上。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层填充满所述沟槽，且所述第二保护层至少包括由热氧化法形成的氧化硅层的工艺步骤包括：

于所述第一保护层的表面形成硅材料层；

对所述硅材料层进行热氧化处理，以形成初始氧化硅层；

于所述初始氧化硅层的表面形成初始第一介质层；

去除部分所述初始第一介质层，形成第一介质层；

去除部分所述初始氧化硅层，形成氧化硅层；

所述第一介质层和所述氧化硅层构成所述第二保护层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述热氧化处理的温度为1000℃～1500℃。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述去除部分所述初始第一介质层，形成第一介质层的工艺步骤包括：

以所述初始氧化硅 层作为第一刻蚀停止层，利用第一等离子体刻蚀工艺，蚀刻部分所述初始第一介质层，形成所述第一介质层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在相同的第一等离子刻蚀工艺条件下，所述初始第一介质层和所述初始氧化层的刻蚀选择比大于10：1。

7.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述去除部分所述初始氧化硅层，形成氧化硅层的工艺步骤包括：

以所述第一保护层作为第二刻蚀停止层，利用第二等离子体刻蚀工艺，蚀刻部分所述初始氧化硅层，形成所述氧化硅层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在相同的第二等离子刻蚀工艺条件下，所述初始氧化硅层和所述第一保护层的刻蚀选择比大于10：1。

9.根据权利要求1或3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二介质层的介电常数小于所述第一保护层的介电常数。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第三介质层和所述第一保护层的材料相同。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二介质层的材料的致密度小于所述第三介质层的材料的致密度。