[发明专利]封装衬底、电子设备封装和其制造方法在审
申请号: | 202110016442.5 | 申请日: | 2021-01-07 |
公开(公告)号: | CN113809038A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 许武州;李志成;陈敏尧;田兴国 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/482;H01L23/544;H01L21/48;H01L21/50 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 衬底 电子设备 制造 方法 | ||
1.一种封装衬底,其包括:
衬底,所述衬底包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
电子组件,所述电子组件安置在所述衬底中,所述电子组件包括:
导电线,所述导电线包括对齐标记区段和连接区段;以及
磁性层,所述磁性层部分地覆盖所述导电线,所述磁性层包含邻近于所述第一表面的上表面和邻近于所述第二表面的下表面,其中所述磁性层包含第一对齐窗口和第一凹部,所述第一对齐窗口安置在所述磁性层的所述上表面中并且暴露所述对齐标记区段的第一上表面,所述第一凹部安置在所述磁性层的所述上表面中并且暴露所述连接区段的第二上表面;以及
第一导电迹线,所述第一导电迹线位于所述第一凹部中并且电连接到所述导电线的所述连接区段的所述第二上表面。
2.根据权利要求1所述的封装衬底,其进一步包括第一介电层,所述第一介电层安置在所述磁性层与所述第一导电迹线之间。
3.根据权利要求2所述的封装衬底,其中所述第一介电层安置在所述磁性层的所述第一凹部中并且部分地围绕所述第一导电迹线。
4.根据权利要求2所述的封装衬底,其中所述衬底包括限定空腔的支撑部分,并且所述电子组件安置在所述空腔中。
5.根据权利要求4所述的封装衬底,其中所述第一介电层进一步安置在所述电子组件的边缘与所述衬底的所述支撑部分之间。
6.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述电子组件包括多条导电线,并且所述磁性层的所述第一对齐窗口包括槽,所述槽连续地横贯所述多条导电线并且暴露所述多条导电线的所述对齐标记区段的所述第一上表面。
7.根据权利要求6所述的封装衬底,其中所述磁性层的所述第一对齐窗口包括多个孔,所述多个孔彼此分离并且分别暴露所述多条导电线的所述对齐标记区段的所述第一上表面。
8.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述第一对齐窗口的最小宽度比所述导电线的宽度宽。
9.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述对齐标记区段的所述第一上表面包括基本平坦的表面、凹表面或带凹口表面。
10.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述连接区段的所述第二上表面包括基本平坦的表面。
11.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述对齐标记区段的所述第一上表面低于所述连接区段的所述第二上表面。
12.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述第一对齐窗口与所述第一凹部部分地重叠。
13.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述磁性层进一步包含第二凹部,所述第二凹部安置在所述磁性层的所述下表面中并且暴露所述连接区段的下表面。
14.根据权利要求13所述的封装衬底,其中所述第二凹部与所述第一凹部对齐。
15.根据权利要求13所述的封装衬底,其中所述磁性层进一步包含第二对齐窗口,所述第二对齐窗口安置在所述磁性层的所述下表面中并且暴露所述对齐标记区段的下表面。
16.根据权利要求13所述的封装衬底,其进一步包括第二导电迹线,所述第二导电迹线位于所述第二凹部中并且电连接到所述导电线的所述连接区段的所述下表面。
17.根据权利要求16所述的封装衬底,其进一步包括第二介电层,所述第二介电层安置在所述磁性层与所述第二导电迹线之间。
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