[发明专利]具有新颖虚设沟道结构的三维NAND存储器器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在垂直于所述半导体器件的衬底的竖直方向上交替布置的字线层和绝缘层的堆叠体，所述堆叠体包括第一阵列区域和相邻的第一阶梯区域；以及

虚设沟道结构，所述虚设沟道结构在所述竖直方向上延伸穿过所述堆叠体的所述第一阶梯区域中的所述字线层和所述绝缘层，

其中，所述字线层中的至少一个的位置比与所述字线层中的所述至少一个相邻的绝缘层更加远离所述虚设沟道结构的中心轴。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个所述字线层的位置比与相应字线层相邻的绝缘层更加远离所述虚设沟道结构的所述中心轴。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

位于所述衬底之上的隔离层，其中：

所述第一阶梯区域位于所述隔离层中，并且

所述虚设沟道结构在所述竖直方向上延伸穿过所述隔离层并进一步延伸到所述衬底中。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述虚设沟道结构包括虚设层，所述虚设层沿所述字线层和所述绝缘层布置并进一步延伸到所述衬底中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二阵列区域，

其中，所述第一阶梯区域被布置在所述第一阵列区域与所述第二阵列区域之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二阶梯区域，

其中，所述第一阵列区域被布置在所述第一阶梯区域与所述第二阶梯区域之间。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述虚设层包括SiO、SiN、SiCN、SiCON、SiON或多晶硅中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述第一阵列区域中形成的沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述字线层和所述绝缘层并进一步延伸到所述衬底中；

一个或多个缝隙结构，所述一个或多个缝隙结构在平行于所述衬底的水平方向上延伸并进一步延伸到所述衬底中，所述一个或多个缝隙结构延伸穿过所述第一阵列区域和所述第一阶梯区域以被布置在所述沟道结构之中；以及

字线触点，所述字线触点在所述竖直方向上从所述第一阶梯区域的所述字线层延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

另一虚设沟道结构，所述另一虚设沟道结构在所述竖直方向上延伸穿过所述堆叠体的所述第一阵列区域中的所述字线层和所述绝缘层。

10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

形成在垂直于衬底的竖直方向上交替布置的牺牲层和绝缘层的初始堆叠体，所述初始堆叠体包括第一阵列区域和相邻的第一阶梯区域；

形成虚设沟道孔，所述虚设沟道孔在所述竖直方向上延伸穿过所述第一阶梯区域中的所述牺牲层和所述绝缘层并延伸到所述衬底中；以及

执行蚀刻工艺以使所述牺牲层的部分从所述虚设沟道孔的中心轴凹进，以使得所述牺牲层中的至少一个的位置比与所述牺牲层中的所述至少一个相邻的所述绝缘层更加远离所述虚设沟道孔的所述中心轴。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，每个所述牺牲层的位置比与相应牺牲层相邻的所述绝缘层更加远离所述虚设沟道孔的所述中心轴。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述形成所述虚设沟道孔还包括：

在所述衬底之上沉积隔离层以使得所述第一阶梯区域被布置在所述隔离层中，

其中，所述虚设沟道孔被形成为延伸穿过所述隔离层、以及所述第一阶梯区域中的所述牺牲层和所述绝缘层。