[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710161861.8 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295711A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李相熙;曹甲焕 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L23/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，其中根据实施例的半导体器件包括第一组虚设图案和第二组虚设图案，该第二组虚设图案与第一组虚设图案以第二间距分隔开。第一组虚设图案包括多个第一虚设图案，该多个第一虚设图案以第一间距彼此分隔开而形成。第二组虚设图案包括多个第二虚设图案，该多个第二虚设图案以第一间距彼此分隔开而形成。第一虚设图案和第二虚设图案具有相同形状和大小。本发明的半导体器件及其制造方法可以确保图案一致性以及简化设计工艺和制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：第一组虚设图案，包括至少一个第一虚设图案，其中相邻的第一虚设图案以第一间距彼此分隔开；第二组虚设图案，包括至少两个第二虚设图案，其中相邻的第二虚设图案以所述第一间距彼此分隔开，其中，所述第二组虚设图案与所述第一组虚设图案以第二间距分隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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