[实用新型]半导体封装结构

说明书

本申请提供一种半导体封装结构。该导体封装结构包括：包封结构件，所述包封结构件包括引线框和多个芯片以及用于包封所述引线框以及所述多个所述芯片的包封层，所述引线框设有镂空区域，多个所述芯片位于所述镂空区域中，所述包封层填充于所述引线框的镂空区域内；与所述芯片的正面以及所述引线框的第一面均电连接，形成于所述包封结构件的第一表面的所述第一再布线结构；与所述芯片的背面以及引线框的第二面均电连接，形成于所述包封结构件的第二表面第二再布线结构。本申请的半导体封装结构通过引线框和双面重布线互连工艺，实现了芯片的双面互连封装，提升了产品的薄型化，可增强产品的电学信赖性。

技术领域

本申请涉及一种半导体技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术

如图1所示，现有技术中常采用引线框30’与布线层40’配合实现两个芯片10’的双面互连封装，具体结构为：两个芯片10’的背面通过导电胶20’贴于引线框30’上表面实现背面电连接，布线层40’通过铜柱50’实现与芯片10’的正面的连接，其中，铜柱需要通过超声键和的方式植出，该工艺的成本极高，效率却极低。另外，将引线框30’布置在芯片10’的背面，导致封装产品的厚度较厚，在应用于穿戴装备或其他对产品厚度有较高要求的场景时，将受到限制。

实用新型内容

本申请提供一种半导体封装结构，其包括：

包封结构件，包括相对的第一表面和第二表面，所述包封结构件包括引线框和多个芯片以及用于包封所述引线框以及所述多个所述芯片的包封层，所述引线框设有镂空区域，所述镂空区域沿厚度方向贯穿所述引线框，多个所述芯片位于所述镂空区域中，所述包封层填充于所述引线框的镂空区域内，所述包封结构件包括第一表面和以及与所述第一表面相对设置的第二表面，所述芯片的正面和所述引线框的第一面露出于所述第一表面；

第一再布线结构，所述第一再布线结构形成于所述包封结构件的第一表面，所述第一再布线结构与所述芯片的正面以及所述引线框的第一面均电连接；

第二再布线结构，所述第二再布线结构形成于所述包封结构件的第二表面，所述第二再布线结构与所述芯片的背面以及相对所述第一面设置的第二面均电连接。

可选的，所述引线框包括连接部，所述连接部将所述镂空区域间隔为多个，分别位于不同的所述镂空区域中的所述芯片通过所述连接部进行电连接。

可选的，所述连接部包括依次连接的第一部分、中间部分和第二部分，所述第一部分远离所述连接部的一端与所述第二部分远离所述连接部的一端，均位于所述连接部的同一侧。

可选的，所述引线框还包括若干相互隔离的边缘部，所述边缘部沿所述包封结构件的内周缘设置，所述边缘部的一端露出于所述包封结构件的表面，另一端向镂空区域延伸；每一所述镂空区域内均设有若干相互隔离的边缘部。

可选的，所述引线框的厚度大于所述芯片的厚度。

可选的，所述芯片的背面覆设有所述包封层，所述引线框的第二面露出于所述包封结构件的第二表面。

可选的，所述包封结构件的第二表面开设有多个开口，所述开口对应于所述芯片设置，所述第二再布线结构包括导电凸柱，所述导电凸柱形成于所述开口中，且与所述芯片的背面电连接。

可选的，所述引线框沿厚度方向由所述包封结构件的第一表面至所述第二表面，包括第一部分和第二部分，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

可选的，所述第一再布线结构包括至少一层第一再布线层；和/或，

所述第二再布线结构包括至少一层第二再布线层和引脚层，所述引脚层位于所述第二再布线层远离包封结构件的一侧；或者，所述第二再布线结构仅包括引脚层。

可选的，所述第二再布线结构包括至少一层第二再布线层和引脚层，所述引脚层的正投影位于所述第二再布线层的正投影之内。