[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号: | 202021570500.6 | 申请日: | 2020-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN212342614U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
| 发明(设计)人: | 霍炎;涂旭峰 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L25/07;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 曾莺华 |
| 地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构,其特征在于,其包括:
包封结构件,包括相对的第一表面和第二表面,所述包封结构件包括引线框和多个芯片以及用于包封所述引线框以及所述多个所述芯片的包封层,所述引线框设有镂空区域,所述镂空区域沿厚度方向贯穿所述引线框,多个所述芯片位于所述镂空区域中,所述包封层填充于所述引线框的镂空区域内,所述包封结构件包括第一表面和以及与所述第一表面相对设置的第二表面,所述芯片的正面和所述引线框的第一面露出于所述第一表面;
第一再布线结构,所述第一再布线结构形成于所述包封结构件的第一表面,所述第一再布线结构与所述芯片的正面以及所述引线框的第一面均电连接;
第二再布线结构,所述第二再布线结构形成于所述包封结构件的第二表面,所述第二再布线结构与所述芯片的背面以及相对所述第一面设置的第二面均电连接。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述引线框包括连接部,所述连接部将所述镂空区域间隔为多个,分别位于不同的所述镂空区域中的所述芯片通过所述连接部进行电连接。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述连接部包括依次连接的第一部分、中间部分和第二部分;所述第一部分远离所述连接部的一端与所述第二部分远离所述连接部的一端,均位于所述连接部的同一侧。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述引线框还包括若干相互隔离的边缘部,所述边缘部沿所述包封结构件的内周缘设置,所述边缘部的一端露出于所述包封结构件的表面,另一端向镂空区域延伸;每一所述镂空区域内均设有若干相互隔离的边缘部。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述引线框的厚度大于所述芯片的厚度。
6.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述芯片的背面覆设有所述包封层,所述引线框的第二面露出于所述包封结构件的第二表面。
7.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述包封结构件的第二表面形成多个开口,所述开口对应于所述芯片设置,所述第二再布线结构包括导电凸柱,所述导电凸柱形成于所述开口中,且与所述芯片的背面电连接。
8.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述引线框沿厚度方向由所述包封结构件的第一表面至所述第二表面,包括第一部分和第二部分,所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。
9.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一再布线结构包括至少一层第一再布线层;和/或,
所述第二再布线结构包括至少一层第二再布线层和引脚层,所述引脚层位于所述第二再布线层远离包封结构件的一侧;或者,所述第二再布线结构仅包括引脚层。
10.如权利要求9所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二再布线结构包括至少一层第二再布线层和引脚层,所述引脚层的正投影位于所述第二再布线层的正投影之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽磐微电子(重庆)有限公司,未经矽磐微电子(重庆)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021570500.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种节能锅
- 下一篇:一种DICT信息的输出设备





