[发明专利]一种半导体结构及其有源区的制备方法在审
| 申请号： | 202011358807.4 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114566422A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;熊文娟;蒋浩杰;崔恒玮;李亭亭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 有源 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构中有源区的制备方法，其特征在于，包括：
在蚀刻有沟槽的半导体基底上沉积非晶硅，形成从沟槽底部至顶部的非晶硅层；
对所述非晶硅层进行原位低温氧化，所述原位低温氧化的温度为600℃～700℃，氧化气体采用H2与O2以1:2～1:10的体积比混合而成；
沉积氧化物层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述原位低温氧化的温度为600℃～650℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积法沉积所述氧化物层。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述原位低温氧化时的氧化气体采用H2与O2以1:5～1:8的体积比混合而成。
7.一种半导体有源区结构，其特征在于，包括半导体基底；
在所述半导体基底上蚀刻有沟槽，所述沟槽的表面由底部至底部依次设有非晶硅层、氧化物沉积层，并且所述非晶硅层的表层为氧化硅层。
8.一种包含权利要求7所述的半导体有源区结构的半导体器件。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，其为DRAM、2D NAND、3D NAND或逻辑器件。
10.权利要求8或9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件中的有源区采用权利要求1-6任一项所述的制备方法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
