[发明专利]转接板及其制备方法、半导体封装结构

说明书

本申请公开了一种转接板及其制备方法、半导体封装结构，转接板包括板体，板体包括第一表面，板体设有贯穿的通孔且通孔的一端贯穿至第一表面，通孔中设有导电部，导电部靠近第一表面的一端不超出第一表面，通孔和导电部所形成的整体结构在靠近第一表面的一端形成有限位腔。本申请提供的转接板及其制备方法、半导体封装结构，不仅降低了对接组装后的芯片和转接板在移动时发生相对错位偏移的风险，提高了导电部和芯片之间的焊接质量，还能够使得限位腔在焊球融化容置至少部分的液态焊料，降低了焊球之间因间距小而产生的桥接风险，同时还能够利用甲酸气体回流焊接工艺对芯片与导电部进行焊接，降低了半导体封装产品失效的风险。

技术领域

本发明一般涉及半导体封装技术领域，具体涉及转接板及其制备方法、半导体封装结构。

背景技术

现有的2.5D封装结构一般包括基板以及贴装于基板上的芯片和硅转接板，芯片位于硅转接板远离基板的一侧。硅转接板中设有硅通孔(TSV)，硅通孔中形成有导电柱以对芯片与基板进行互连。其中，导电柱靠近芯片的一端凸伸出硅转接板的上表面(即硅转接板面向芯片的侧面)，芯片上形成有焊球并通过焊球与导电柱的伸出端焊接。

然而，上述的封装结构存在如下问题：

1、芯片和导电柱的伸出端在焊接之前需要进行对接组装并移动至焊接处，但在移动期间容易导致焊球与导电柱之间形成错位偏移，进而导致芯片出现偏移的情况，提高了产品失效的风险。

2、由于相邻焊球之间的间距小，不仅在焊接后容易出现焊点桥接的问题，而且还容易导致助焊剂出现残留的问题，提高了产品失效的风险。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种转接板及其制备方法、半导体封装结构。

第一方面，本申请提供一种转接板，包括板体，板体包括第一表面，板体设有通孔且通孔的一端贯穿至第一表面，通孔中设有导电部，导电部靠近第一表面的一端不超出第一表面，通孔和导电部所形成的整体结构在靠近第一表面的一端形成有限位腔。

进一步地，限位腔形成于导电部靠近第一表面的一端。

进一步地，导电部与第一表面之间存在第一间距。

进一步地，板体包括层叠设置的基体层和第一钝化层，第一表面为第一钝化层背离基体层的表面。

进一步地，第一间距小于或等于第一钝化层的厚度。

进一步地，限位腔的深度为20-50um。

第二方面，本申请还提供一种半导体封装结构，包括转接板。

第三方面，本申请还提供一种转接板的制备方法，包括：

在板体上形成盲孔，盲孔的一端贯穿至板体的第一表面；

在盲孔中形成导电部，其中导电部靠近第一表面的一端不超出第一表面，且盲孔和导电部所形成的整体结构在靠近第一表面的一端形成有限位腔；

对板体远离第一表面的一端进行减薄处理，以露出导电部。

进一步地，在限位腔位于导电部时，在盲孔中形成导电部包括：

在盲孔的内表面形成金属种子层，金属种子层靠近第一表面的一端不超出第一表面；

通过电镀工艺对金属种子层所围成的腔体进行部分填充处理，以形成限位腔。

进一步地，在限位腔位于导电部时，在盲孔中形成导电部包括：

在盲孔的内表面形成金属种子层，金属种子层靠近第一表面的一端不超出第一表面；

通过电镀工艺对金属种子层所围成的腔体进行填满处理；