[发明专利]半导体封装结构在审
| 申请号： | 202011297165.1 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112864123A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡宜霖;林仪柔;彭逸轩;许文松 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L25/07 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
基板，具有布线结构；
桥接结构，在该基板上方；
重分布层，在该桥接结构上方；以及
第一半导体部件和第二半导体部件，在该重分布层上方，其中该第一半导体部件透该过重分布层和该桥接结构电耦接到该第二半导体部件。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括位于该重分布层与该基板之间的导电柱。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该桥接结构和该导电柱由该模塑料围绕。
4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该模塑料、该桥接结构和该导电柱的顶表面共面。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该桥接结构具有通孔，并且该通孔电耦接至该重分布层和该基板的该布线结构。
6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体部件和该第二半导体部件由模塑料包围。
7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括在该重分布层与该第一半导体部件之间以及在该重分布层与该第二半导体部件之间的导电结构，其中，该导电结构电耦接至该重分布层。
8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括在该基板下方的导电端子，其中，该导电端子电耦接至该基板的该布线结构。
9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该桥接结构在垂直于该基板的顶表面的方向上与该第一半导体部件和该第二半导体部件部分地重叠。
10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括另一桥接结构，该另一桥接结构嵌入该重分布层中并电耦接至该重分布层。
11.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
基板，具有布线结构；
桥接结构，在该基板上方，并具有通孔，其中该通孔电性耦接至该基板的该布线结构；
导电柱，位于该基板上方且邻近该桥接结构；
重分布层，在该桥接结构和该导电柱上方；以及
第一半导体部件和第二半导体部件，在该重分布层上方，其中该第一半导体部件通过该重分布层和该桥接结构电耦接到该第二半导体部件。
12.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，该通孔的节距宽度比该导电柱的节距宽度更细。
13.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，该通孔的高度等于该导电柱的高度。
14.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
基板，具有布线结构；
重分布层，在该基板上；
桥接结构，嵌入该重分布层；以及
第一半导体部件和第二半导体部件，在该重分布层上方，其中该第一半导体部件通过该重分布层和该桥接结构电耦接到该第二半导体部件。
15.如权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，该重分布层的厚度大于该桥接结构的厚度。
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