[发明专利]半导体装置

说明书

本公开提供一种半导体装置，其包括第一导电结构、第一介电结构、第二导电结构、蚀刻停止层、第一间隔物结构及第二介电结构。第一介电结构位在第一导电结构的第一表面和第二导电结构的表面之间。蚀刻停止层覆盖第一导电结构。第一间隔物结构覆盖第一介电结构。第二介电结构覆盖第一间隔物结构和蚀刻停止层。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置尤其涉及帮助控制导电结构相对于下方的导电结构的对准的半导体装置。

背景技术

半导体装置包括导电结构(例如通孔和金属线)，其将半导体装置的部件(例如半导体装置的晶体管、电容等)连接在一起。由于工艺中的不精确性，例如覆盖偏移(overlayshift)，两个导电结构可能未对准，使得第一导电结构无法完全接触第二导电结构。未对准会导致导电结构与邻近的导电结构过于接近，从而导致漏电流。此外，未对准可能导致增加的电阻引入半导体装置中。结果，未对准会降低半导体装置的良率和可靠度。

发明内容

本公开的目的在于提供一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。

本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括第一导电结构、第一介电结构、第二导电结构、蚀刻停止层、第一间隔物结构、第二介电结构。第一介电结构在第一导电结构的第一表面和第二导电结构的表面之间。蚀刻停止层覆盖第一导电结构。第一间隔物结构覆盖第一介电结构。第二介电结构覆盖第一间隔物结构和蚀刻停止层。

本公开提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括形成第一介电结构和第二介电结构，其中导电结构和牺牲材料结构设置在第一介电结构和第二介电结构之间；移除第一介电结构的一部分，以定义第一凹陷；在第一凹陷中形成间隔物结构；移除牺牲材料结构的至少一些，以定义第二凹陷；以及在间隔物结构上方和第二凹陷中形成介电层。

本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括导电结构、第一介电结构、第二介电结构、蚀刻停止层、间隔物结构、第三介电结构。导电结构在第一介电结构的侧壁和第二介电结构的侧壁之间。蚀刻停止层覆盖导电结构，并且在第一介电结构的侧壁和第二介电结构的侧壁之间。间隔物结构覆盖第一介电结构。第三介电结构覆盖间隔物结构和蚀刻停止层。

附图说明

本公开的观点从后续实施例以及附图可以更佳理解。须知示意图为范例，并且不同特征并无示意于此。不同特征的尺寸可能任意增加或减少以清楚论述。

图1、图2、图3A、图3B、图3C、图3D、图4、图5、图6、图7、图8、图9A以及图9B是根据一些实施例的工艺的各个站点的半导体装置的剖面图。

图9C和图9D是根据一些实施例的半导体装置的俯视图。

图10和图11是根据一些实施例的工艺的各个站点的半导体装置的剖面图。

图12是根据一些实施例的半导体装置的剖面图。

图13是根据一些实施例的半导体装置的剖面图。

图14是根据一些实施例的半导体装置的剖面图。

具体实施方式

本公开提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定实施例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。举例来说，若是本公开叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，以下本公开不同实施例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复为了简化与清楚的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。