[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011183266.6 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112750806A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 何柏宽;陈欣苹;吴佳典 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一第一导电结构；
一第一介电结构；
一第二导电结构，其中上述第一介电结构在上述第一导电结构的一第一表面和上述第二导电结构的一表面之间；
一蚀刻停止层，覆盖上述第一导电结构；
一第一间隔物结构，覆盖上述第一介电结构；以及
一第二介电结构，覆盖上述第一间隔物结构和上述蚀刻停止层。
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