[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：第一半导体结构，其包括存储器阵列；与第一半导体结构间隔开的第二半导体结构，该第二半导体结构包括第一晶体管；在第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一绝缘层；在第二半导体结构和第一绝缘层之间的第二绝缘层；电连接到存储器阵列的第一接合焊盘，该第一接合焊盘位于第一绝缘层中；以及电连接到第一晶体管的第二接合焊盘，该第二接合焊盘位于第二绝缘层中。第一接合焊盘和第二接合焊盘彼此接触。第一接合焊盘和第二接合焊盘的多个侧壁中的至少一个侧壁包括弯曲部分。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置包括以金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的集成电路。随着半导体装置的尺寸和设计规则逐渐减小，MOSFET的小型化逐渐加快。

MOSFET的小型化可能导致短沟道效应等，因此，半导体装置的操作特性可能劣化。因此，已研究了各种方法在克服由于半导体装置的高度集成导致的限制的同时形成具有改进的性能的半导体装置。

此外，这种集成电路追求操作可靠性和低功耗。因此，已研究了以更小的形状因子形成具有更高的可靠性和更低的功耗的装置的方法。

发明内容

根据本公开的实施方式，一种半导体装置包括：第一半导体结构，其包括存储器阵列；与第一半导体结构间隔开的第二半导体结构，该第二半导体结构包括第一晶体管；在第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一绝缘层；在第二半导体结构和第一绝缘层之间的第二绝缘层；电连接到存储器阵列的第一接合焊盘，该第一接合焊盘位于第一绝缘层中；以及电连接到第一晶体管的第二接合焊盘，该第二接合焊盘位于第二绝缘层中，其中，第一接合焊盘和第二接合焊盘彼此接触，其中，第一接合焊盘和第二接合焊盘的多个侧壁中的至少一个侧壁包括弯曲部分。

根据本公开的另一实施方式，一种半导体装置包括：第一半导体结构，其包括层叠结构、穿透层叠结构的沟道结构以及电连接到沟道结构的位线；与第一半导体结构间隔开的第二半导体结构，该第二半导体结构包括第一晶体管；在第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一绝缘层；在第二半导体结构和第一绝缘层之间的第二绝缘层；位于第一绝缘层中的第一接合焊盘，该第一接合焊盘电连接到沟道结构；以及位于第二绝缘层中的第二接合焊盘，该第二接合焊盘电连接到第一晶体管，该第二接合焊盘与第一接合焊盘接触，其中，第一接合焊盘包括：与第二接合焊盘接触的第一部分；与位线接触的第二部分；以及在第一部分和第二部分之间的第三部分，其中，第三部分的侧壁是弯曲的。

根据本公开的另一实施方式，一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成绝缘层；在绝缘层上形成包括第一开口的硬掩模层；通过使用硬掩模层作为蚀刻屏障蚀刻绝缘层来在绝缘层中形成第二开口；扩大硬掩模层的第一开口；在第一开口扩大之后，通过使用硬掩模层作为蚀刻屏障蚀刻绝缘层来在绝缘层中形成第三开口和第四开口；以及在第三开口和第四开口中形成接合焊盘，其中，第四开口的宽度大于第三开口的宽度，其中，第三开口和第四开口彼此交叠，其中，绝缘层的第三开口和第四开口之间的拐角是弯曲的。

根据本公开的另一实施方式，一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成绝缘层；在绝缘层上形成包括第一开口的硬掩模层；通过使用硬掩模层作为蚀刻屏障蚀刻绝缘层来形成第二开口；通过扩大硬掩模层的第一开口来暴露绝缘层的顶表面；在扩大第一开口之后，通过使用硬掩模层作为蚀刻屏障蚀刻绝缘层来在绝缘层中形成第三开口和第四开口；以及在第三开口和第四开口中形成接合焊盘，其中，第四开口的宽度大于第三开口的宽度，其中，第三开口和第四开口彼此交叠。

附图说明

以下参照附图描述示例实施方式；然而，其可按不同的形式具体实现，不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开对于本领域技术人员将成为可能。