[发明专利]FINFET器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍，从半导体衬底延伸；

栅极堆叠，在所述鳍之上；

第一间隔件，在所述栅极堆叠的侧壁上；

源极/漏极区域，在所述鳍中与所述第一间隔件相邻；

层间电介质层ILD，在所述栅极堆叠、所述第一间隔件和所述源极/漏极区域之上延伸，所述ILD包括第一部分和第二部分，其中，所述ILD的所述第二部分比所述ILD的所述第一部分更靠近所述栅极堆叠；

接触插塞，延伸穿过所述ILD并接触所述源极/漏极区域；

第二间隔件，在所述接触插塞的侧壁上；以及

气隙，在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间，其中，所述ILD的所述第一部分延伸穿过所述气隙并物理接触所述第二间隔件，其中，所述ILD的所述第一部分密封所述气隙。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述ILD具有第一厚度，并且其中，所述ILD的所述第一部分具有在所述第一厚度的10％至105％之间的第二厚度。

3.根据权利要求1所述的器件，还包括在所述栅极堆叠上和所述第一间隔件上的蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层的一部分暴露于所述气隙。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其中，所述ILD的所述第一部分具有第一浓度的掺杂剂，并且其中，所述ILD的所述第二部分具有第二浓度的掺杂剂，所述第二浓度小于所述第一浓度。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其中，所述第二间隔件比所述气隙更靠近所述半导体衬底延伸。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其中，所述接触插塞比所述气隙更靠近所述半导体衬底延伸。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，还包括在所述ILD上的覆盖层。

8.根据权利要求9所述的器件，其中，在所述ILD的所述第一部分上的所述覆盖层的第一区域比在所述ILD的所述第二部分上的所述覆盖层的第二区域更靠近所述半导体衬底延伸。

9.一种半导体器件，包括：

鳍，从衬底突出；

栅极结构，在所述鳍的沟道区域之上；

外延区域，在所述鳍中与所述沟道区域相邻；

第一电介质层，在所述栅极结构之上，所述第一电介质层包括掺杂有第一掺杂剂的第一区域；

接触插塞，延伸穿过所述第一电介质层并接触所述外延区域；

第二电介质层，在所述第一电介质层之上；以及

气隙，在所述接触插塞与所述栅极结构之间，其中，所述气隙的上部区域由所述第一区域界定，并且其中，所述气隙通过所述第一区域与所述第二电介质层分离。

10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在半导体鳍之上形成栅极堆叠；

在与所述栅极堆叠相邻的所述半导体鳍中形成外延源极/漏极区域；

在所述栅极堆叠之上和所述外延源极/漏极区域之上沉积第一电介质层；

在所述第一电介质层中形成开口以暴露所述外延源极/漏极区域；

在所述开口内沉积牺牲材料；

在所述开口内的所述牺牲材料之上沉积导电材料；

去除所述牺牲材料以形成凹槽；以及

用掺杂剂注入所述第一电介质层，其中，在注入所述第一电介质层之后，凹槽被所述第一电介质层覆盖。