[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010768228.0 申请日: 2020-08-03
公开(公告)号: CN113410205A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 石井齐 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

根据一实施方式,提供一种具有衬底、半导体芯片及多个电极端子的半导体装置。衬底具有第1主面及第2主面。半导体芯片配置于第1主面。多个电极端子配置于第2主面。衬底在从垂直于第1主面的方向透视时半导体芯片外缘线和特定条件下与外缘线重叠的多个电极端子中离衬底中心最远的电极端子的外轮廓交叉的位置附近具有通孔配线,该通孔配线连接第1主面侧的第1配线层与第2主面侧的第2配线层。

相关申请的引用

本申请基于2020年3月16日提出申请的在先日本专利申请第2020-045222号的优先权而主张优先权利益,通过引用将其全部内容并入本文中。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

具有多个电极端子的半导体装置经由多个电极端子安装于安装衬底上。此时,期望提高半导体装置的可靠性。

发明内容

一实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体装置。

根据一实施方式,提供一种具有衬底、半导体芯片及多个电极端子的半导体装置。衬底具有第1主面及第2主面。半导体芯片配置于第1主面。多个电极端子配置于第2 主面。衬底在从垂直于第1主面的方向透视时半导体芯片外缘线和特定条件下与外缘线重叠的多个电极端子中离衬底中心最远的电极端子的外轮廓交叉的位置附近具有通孔配线,该通孔配线连接第1主面侧的第1配线层与第2主面侧的第2配线层。

根据上述构成,能够提供一种能够提高可靠性的半导体装置。

附图说明

图1是表示包括实施方式的半导体装置的系统构成的立体图。

图2是表示实施方式的半导体装置的构成的剖视图。

图3是表示实施方式的半导体装置的构成的平面图。

图4是表示实施方式中的应力模拟结果的平面图。

图5是表示实施方式中的电极端子构成的平面图。

图6是表示实施方式中的通孔配线及补强部件构成的平面图。

图7(a)、(b)是表示实施方式中的通孔配线及补强部件构成的剖视图。

图8是表示实施方式的第1变化例中的通孔配线及补强部件构成的平面图。

图9(a)、(b)是表示实施方式的第1变化例中的通孔配线及补强部件构成的剖视图。

图10是表示实施方式的第2变化例中的通孔配线及补强部件构成的平面图。

具体实施方式

以下参照附图,对实施方式的半导体装置详细地进行说明。此外,本发明并不受到该实施方式限定。

(实施方式)实施方式的半导体装置构成为半导体封装体,且安装于安装衬底上。在具备半导体封装体及供安装半导体封装体的安装衬底的系统中,期望提高安装密度。为了实现安装密度的提高,考虑将半导体装置构成BGA(Ball Grid Array,球栅阵列)型或LGA(Land Grid Array,焊盘网格阵列)型半导体封装体。作为BGA型或LGA型半导体封装体的半导体装置具有多个电极端子。该半导体装置经由多个电极端子安装于安装衬底上。

例如,包括半导体装置1的系统100可如图1所示构成。图1是表示包括半导体装置1的系统100的构成的立体图。半导体装置1例如为包括多个半导体芯片的存储器器件,系统100为SSD(Solid State Drive,固态硬盘)等存储器系统。

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