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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202210967201.3在审
发明人：竹本康男;石井齐;三浦正幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供能够减少施加于电极端子的应力的影响的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：印刷布线基板；半导体芯片，被安装于印刷布线基板的第一面上；密封树脂，将半导体芯片密封于印刷布线基板的第一面上；电极焊盘，被设于印刷布线基板的与第一面为相反侧的第二面；电极端子，与电极焊盘连接，从第二面突出；以及金属层，跨越第一边界线部，被设于电极焊盘的电极端子侧或者与电极端子为相反侧的面，所述第一边界线部是从与印刷布线基板的第一面垂直的方向即第一方向观察，以电极焊盘与电极端子的接合面的外周为第一边界线并以半导体芯片的外周为第二边界线时，第一边界线中的朝向靠近第二边界线侧的第一边界线的一部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010768228.0在审
发明人： 石井齐 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：根据一实施方式，提供一种具有衬底、半导体芯片及多个电极端子的半导体装置。衬底具有第1主面及第2主面。半导体芯片配置于第1主面。多个电极端子配置于第2主面。衬底在从垂直于第1主面的方向透视时半导体芯片外缘线和特定条件下与外缘线重叠的多个电极端子中离衬底中心最远的电极端子的外轮廓交叉的位置附近具有通孔配线，该通孔配线连接第1主面侧的第1配线层与第2主面侧的第2配线层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201710133174.9有效
发明人： 石井齐 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够抑制引线的无用的变形的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法具备如下步骤：对于引线框架，一边按压第1内引线，一边从引线框架的与形成着第1凹部的一面为相反侧的另一面将推压部件压抵到配线部而使其变形，以第1凹部为基点剪切第1内引线的延伸方向上的端部与配线部的连接部，并且使配线部从端部分离，所述引线框架包括第1引线、第2引线、及将第2内引线与第1内引线的延伸方向上的端部之间连接的配线部；且第1内引线的延伸方向上的端部与配线部之间的连接部在比宽度方向的端部更内侧的区域具有第1凹部。
半导体装置制造方法

[发明专利]引线架-CN201910188128.8在审
发明人： 石井齐 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种引线架。实施方式的半导体装置的制造方法具备：对引线架实施去除配线部的加工而将第二电源用引线的一部分、第一信号用引线的一部分及第二信号用引线的一部分分离的步骤；将半导体芯片搭载在引线架上的步骤；形成横跨第二信号用引线而将第一电源用引线与第二电源用引线之间电连接的接合线的步骤；形成密封树脂层的步骤；以及将支撑部与第一电源用引线的一部分以及第一及第二信号用引线的另一部分之间的连接部的各者切断的步骤。
引线架第二信号电源半导体芯片半导体装置密封树脂层电连接接合线配线部去除横跨支撑加工制造

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置、及引线框架-CN201610236159.2有效
发明人： 石井齐 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能抑制引线发生多余变形的半导体装置的制造方法、半导体装置、及引线框架。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：一面挤压第1内引线，一面使推压构件压抵于第2内引线的布线部的上表面而使布线部的至少一部分变形，且将第1内引线的延伸方向上的端部与布线部之间的连结部切断并且使布线部与端部相离；搭载半导体芯片；形成第1及第2接合线；形成密封树脂层；将支撑部与第1及第2外引线之间的连结部切断。
半导体装置制造方法引线框架

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610239696.2有效
发明人： 石井齐 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够抑制多个信号用引线间的信号的干扰的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备：对引线架实施去除配线部的加工而将第二电源用引线的一部分、第一信号用引线的一部分及第二信号用引线的一部分分离的步骤；将半导体芯片搭载在引线架上的步骤；形成横跨第二信号用引线而将第一电源用引线与第二电源用引线之间电连接的接合线的步骤；形成密封树脂层的步骤；以及将支撑部与第一电源用引线的一部分以及第一及第二信号用引线的另一部分之间的连接部的各者切断的步骤。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201410453249.8在审
发明人： 石井齐 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种小型化、高密度化推进的半导体装置，其可以将内引线间连接。本发明的实施方式的半导体装置包含多根引线，包括内引线及外引线；半导体芯片，设置在多根引线上；间隔片，介于半导体芯片与多根引线之间，在半导体芯片的背面与多根引线之间形成间隙；导线，设置在间隙，且在半导体芯片的背面下将内引线间电性连接；以及第1绝缘层，设置在所述半导体芯片与所述导线之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201310328880.0无效
发明人： 石井齐 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供在持续小型化、高密度化的半导体装置中能将内引线间连接的半导体装置。本发明的实施方式涉及的半导体装置具备：多条引线，其具有内引线和外引线；半导体芯片，其设置于多条引线之上；间隔件，其介于半导体芯片与多条引线之间，在半导体芯片的背面与多条引线之间形成间隙；和导线，其设置于间隙中，在半导体芯片的背面下方将内引线间电连接。
半导体装置

[实用新型]半导体存储装置-CN201120056589.9有效
发明人： 石井齐;奥村尚久 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据本实施方式，提供一种半导体存储装置，其具备：设置有外部连接端子的有机基板；和半导体存储芯片。半导体存储装置还具备引线框架，该引线框架具有粘接部及载置部。另外，还具备树脂模铸部，其封装半导体存储芯片。在引线框架，以从载置部以及粘接部的至少一方朝向树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201110178148.0有效
发明人： 石井齐;奥村尚久;西山拓 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。根据实施方式，半导体存储装置(10)具备有机基板(11)、半导体存储器芯片(15)、引线框架(13)和树脂模制部(18)。引线框架(13)具有粘接部(22)。有机基板单片化为，俯视有机基板与载置部不重叠的部分这一方比重叠的部分大的形状。引线框架在粘接部中，进一步具有第1延伸部(13b)，该第1延伸部延伸至树脂模制部的与插入方向侧的面不同的面。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201110052405.6有效
发明人： 石井齐;奥村尚久 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据本实施方式，提供一种半导体存储装置，其具备：设置有外部连接端子的有机基板；和半导体存储芯片。半导体存储装置还具备引线框架，该引线框架具有粘接部及载置部。另外，还具备树脂模铸部，其封装半导体存储芯片。在引线框架，以从载置部以及粘接部的至少一方朝向树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。
半导体存储装置及其制造方法

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