[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备具有第1主面及第2主面的衬底、配置于所述第1主面的半导体芯片、及配置于所述第2主面的多个电极端子，所述衬底在从垂直于所述第1主面的方向透视时所述半导体芯片的外缘线和特定条件下与所述外缘线重叠的多个电极端子中离所述衬底中心最远的电极端子的外轮廓交叉的位置附近具有通孔配线，所述通孔配线连接所述第1主面侧的第1配线层与所述第2主面侧的第2配线层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电极端子在俯视下具有大致圆形状，所述特定条件包括：所述电极端子的外轮廓上远离所述衬底中心之侧的圆弧部分与所述外缘线重叠。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述圆弧部分是所述电极端子的外轮廓上相对于所述电极端子的中心所成的角小于180°的部分。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1配线层包括从垂直于所述第1主面的方向透视时横穿所述最远电极端子的信号线，所述通孔配线在从垂直于所述第1主面的方向透视时配置于比所述信号线相对于所述衬底中心更靠外侧。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1配线层包括从垂直于所述第1主面的方向透视时横穿所述最远电极端子的信号线，所述通孔配线在从垂直于所述第1主面的方向透视时配置于比所述信号线相对于所述衬底中心更靠内侧。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第1配线层包括从垂直于所述第1主面的方向透视时横穿所述最远电极端子的信号线、及配置于所述信号线外侧且沿所述信号线延伸的基准线，所述通孔配线连接所述基准线与所述第2配线层。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第1配线层包括从垂直于所述第1主面的方向透视时横穿所述最远电极端子的信号线、及配置于所述信号线内侧且沿所述信号线延伸的基准线，所述通孔配线连接所述基准线与所述第2配线层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底还具有配置于所述第1配线层与所述第2配线层之间且由所述通孔配线贯通的核心层，所述通孔配线的弹性模量比所述核心层高。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述通孔配线具有底面被封闭的大致圆筒形状，所述衬底还具有配置于所述通孔配线内侧所形成的孔部且弹性模量比所述核心层高的补强部件。