[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备相互邻接的多个绝缘膜。导电膜设置在多个绝缘膜之间。导电膜使用钼构成，该钼具有与该导电膜的上表面到下表面的距离大致相同大小的粒径。

相关申请的引用

本申请案基于2019年08月26日提出申请的在先日本专利申请案第2019-153948号的优先权而主张优先权利益，通过引用将其全部内容并入本文中。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

正在开发具有三维配置多个存储单元构成的立体型存储单元阵列的半导体存储器。立体型存储单元阵列包含交替积层绝缘膜与导电膜而成的积层体，具有设置在积层体的积层方向的柱状的半导体层。存储单元设置在积层体的导电膜与柱状的半导体层之间。

在导电膜的制造步骤中，存在将导电膜嵌埋至相互邻接的多个绝缘膜间时，导电膜内产生缝的情况。这种缝在之后的湿式蚀刻处理中，会使蚀刻液渗入，导致过蚀刻。

发明内容

本发明的一个实施方式提供一种能够抑制设置在邻接的多个绝缘膜间的导电膜内的过蚀刻的半导体装置及其制造方法。

本实施方式的半导体装置具备相互邻接的多个绝缘膜。导电膜设置在多个绝缘膜之间。导电膜使用钼构成，该钼具有与该导电膜的上表面到下表面的距离大致相同大小的粒径。

根据上述的构成，能够提供一种能够抑制设置在邻接的多个绝缘膜间的导电膜内的过蚀刻的半导体装置及其制造方法。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的构成例的立体图。

图2是表示三维构造的存储单元阵列的构成例的剖视图。

图3是表示三维构造的存储单元阵列的构成例的剖视图。

图4是表示导电膜及其周边的更详细的构成例的剖视图。

图5是表示导电膜内存在孔隙的构成例的剖视图。

图6是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的一例的剖视图。

图7是接着图6的表示半导体装置的制造方法的剖视图。

图8是接着图7的表示半导体装置的制造方法的剖视图。

图9是接着图8的表示半导体装置的制造方法的剖视图。

图10是接着图9的表示半导体装置的制造方法的剖视图。

图11是接着图10的表示半导体装置的制造方法的剖视图。

图12是接着图11的表示半导体装置的制造方法的剖视图。

图13是接着图12的表示半导体装置的制造方法的剖视图。

图14是接着图13的表示半导体装置的制造方法的剖视图。

图15是接着图14的表示半导体装置的制造方法的剖视图。

图16(A)及(B)是表示导电膜的沉积步骤的一例的剖视图。

图17(A)及(B)是表示导电膜的热处理步骤及回蚀步骤的一例的剖视图。

图18是接着图15的表示半导体装置的制造方法的剖视图。

具体实施方式