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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010768213.4在审
发明人：别府贵幸;北村政幸;丰田启;名取克晃 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备相互邻接的多个绝缘膜。导电膜设置在多个绝缘膜之间。导电膜使用钼构成，该钼具有与该导电膜的上表面到下表面的距离大致相同大小的粒径。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN201910665554.6在审
发明人： 名取克晃;丰田启;北村政幸;別府贵幸 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够抑制因钼的附着所产生的问题的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括将衬底收容到收容部内。进而，所述方法包括：将含有钼的第1气体供给到所述收容部内而在所述衬底形成含有钼的膜。进而，所述方法包括：在将形成了所述膜的所述衬底从所述收容部搬出后，将含有氯的第2气体供给到所述收容部内，而将附着在所述收容部内的表面的钼去除。
半导体制造装置方法

[发明专利]半导体器件-CN200410036653.1无效
发明人：糸川宽志;山川晃司;今井馨太郎;名取克晃;文范基 -专利权人：株式会社东芝;英芬能技术公司
申请日： 2004-04-29 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：在此提供一种半导体器件，其中包括：半导体基片(100)；以及电容器，其提供在该半导体基片上并且包括底电极(116、117、118、119)、顶电极(121、122、123)和置于该底电极和顶电极之间的介电膜(120)，底电极和顶电极中的至少一个包括：选自贵金属膜和贵金属氧化物膜的导电膜(117、123)；金属氧化物膜(119、121)，其具有钙钛矿结构，提供在该介电膜和导电膜之间，由ABO₃所表示，并且包含作为B位置元素的第一金属元素；以及金属膜(118、122)，其提供在该导电膜和金属氧化物膜之间，并且包含作为具有钙钛矿结构的金属氧化物的B位置元素的第二金属元素，当第二金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量比在第一金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量更大。
半导体器件