[发明专利]半导体封装件在审
| 申请号: | 202010565667.1 | 申请日: | 2020-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN112117262A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
| 发明(设计)人: | 金暎镐;朴桓必;金晟彻;安基元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/66;H01L23/31;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
一种半导体封装件包括:衬底;半导体芯片,其设置在衬底的第一表面上;焊料凸块,其设置在半导体芯片的第一表面与衬底之间;以及再分布层,其设置在半导体芯片的与第一表面相对的第二表面上。衬底包括衬底图案,并且衬底图案覆盖衬底的第二表面。衬底图案覆盖衬底的第二表面的总面积的60%至100%。
相关申请的交叉引用
该美国非临时专利申请要求于2019年6月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0074185的优先权,其公开以引用方式全文并入本文中。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种半导体封装件,并且更具体地说,涉及一种具有电磁屏蔽功能和天线功能的半导体封装件。
背景技术
可增大封装密度以提高速度并使电子装置小型化。然而,从电子装置发射的电磁波会使电子装置的性能劣化。例如,电磁波会导致通信装置的故障,从而可能产生严重的安全问题。因此,正在开发用于使电磁干扰最小化的电磁屏蔽技术。
另外,在5G通信技术中移动通信技术的开发期间,已经开发了各种技术(如大容量、高速和小天线技术)。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施例,一种半导体封装件包括:衬底;半导体芯片,其设置在衬底的第一表面上;焊料凸块,其设置在半导体芯片的第一表面与衬底之间;以及再分布层,其设置在半导体芯片的与第一表面相对的第二表面上。衬底包括衬底图案,并且衬底图案覆盖衬底的第二表面。衬底图案覆盖衬底的第二表面的总面积的60%至100%。
根据本发明构思的示例性实施例,一种半导体封装件包括:衬底;半导体芯片,其安装在衬底的第一表面上;焊料凸块,其设置在半导体芯片的第一表面与衬底的第一表面之间;屏蔽层,其设置在半导体芯片与焊料凸块之间;以及再分布层,其设置在半导体芯片的与第一表面相对的第二表面上,其中,衬底包括衬底图案和天线图案,并且其中衬底图案覆盖衬底的第二表面。
根据本发明构思的示例性实施例,一种半导体封装件包括:衬底;半导体芯片,其安装在衬底的第一表面上;焊料凸块,其设置在半导体芯片的第一表面与衬底之间;焊料掩模,其设置在衬底的第一表面上;屏蔽层,其设置在半导体芯片与焊料凸块之间;再分布层,其设置在半导体芯片的与第一表面相对的第二表面上;模制层,其覆盖半导体芯片的侧壁,并且设置在衬底与再分布层之间;以及过孔,其穿过衬底和模制层。衬底包括衬底图案和天线图案,并且衬底图案覆盖衬底的第二表面。焊料凸块设置在通过焊料掩模形成的区中,并且过孔包括接地过孔、信号过孔和电源过孔。再分布层电连接至半导体芯片,并且屏蔽层包括粘合剂层、屏蔽金属层和保护层。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例,本发明构思的以上和其它特征将变得更清楚,在附图中:
图1A、图1B、图1C、图1D、图1E和图1F是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造半导体封装件的方法的剖视图;
图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体封装件的剖视图;
图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体封装件的剖视图;
图4是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体封装件的剖视图;以及
图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体封装件的剖视图。
具体实施方式
在整个说明书和附图中,相同的附图标记或相同的附图标号可指示相同的元件或部件。下文中,将描述根据本发明构思的示例性实施例的半导体封装件及其制造方法。
图1A、图1B、图1C、图1D、图1E和图1F是示出根据本发明构思的示例性实施例的用于制造半导体封装件的方法的剖视图。
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