[发明专利]半导体封装件在审
| 申请号: | 202010565667.1 | 申请日: | 2020-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN112117262A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
| 发明(设计)人: | 金暎镐;朴桓必;金晟彻;安基元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/66;H01L23/31;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
衬底;
半导体芯片,其设置在所述衬底的第一表面上;
焊料凸块,其设置在所述半导体芯片的第一表面与所述衬底之间;以及
再分布层,其设置在所述半导体芯片的与所述第一表面相对的第二表面上,
其中,所述衬底包括衬底图案,
其中,所述衬底图案覆盖所述衬底的第二表面,并且
其中,所述衬底图案覆盖所述衬底的第二表面的总面积的60%至100%。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,还包括:
模制层,其设置在所述衬底与所述再分布层之间;以及
过孔,其穿过所述衬底和所述模制层,
其中,所述衬底还包括天线图案,并且
其中,所述过孔包括接地过孔、电源过孔和信号过孔。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述再分布层包括再分布图案,并且其中,所述信号过孔连接至所述天线图案和所述再分布图案中的至少一个。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述再分布层包括再分布图案,并且其中,所述接地过孔连接至所述天线图案和所述再分布图案中的至少一个。
5.根据权利要求2所述的半导体封装件,还包括:
键合图案,其设置在所述半导体芯片与所述焊料凸块之间。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述再分布层包括连接焊盘,
其中,焊料球分别设置在所述连接焊盘上,并且
其中,所述半导体芯片包括电连接至所述焊料球的半导体器件。
7.根据权利要求6所述的半导体封装件,还包括:
焊料掩模,其设置在所述衬底的第一表面上,
其中,所述焊料掩模形成其中设置有所述焊料凸块的区。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,其中设置有所述焊料凸块的区的形状对应于所述键合图案的形状。
9.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,每一个衬底图案具有竖直地穿过所述衬底的第一部分和连接至所述第一部分的第二部分,其中,所述第一部分的宽度实质上等于其中设置有所述焊料凸块的区中的每一个的最大宽度。
10.一种半导体封装件,包括:
衬底;
半导体芯片,其安装在所述衬底的第一表面上;
焊料凸块,其设置在所述半导体芯片的第一表面与所述衬底的第一表面之间;
屏蔽层,其设置在所述半导体芯片与所述焊料凸块之间;以及
再分布层,其设置在所述半导体芯片的与所述第一表面相对的第二表面上,
其中,所述衬底包括衬底图案和天线图案,并且
其中,所述衬底图案覆盖所述衬底的第二表面。
11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述衬底图案覆盖所述衬底的第二表面的总面积的60%至100%。
12.根据权利要求10所述的半导体封装件,还包括:
模制层,其设置在所述衬底与所述再分布层之间;以及
过孔,其穿过所述衬底和所述模制层,
其中,所述过孔包括接地过孔、电源过孔和信号过孔。
13.根据权利要求12所述的半导体封装件,其中,所述再分布层包括再分布图案,并且
其中,所述接地过孔连接至所述衬底图案中的至少一个和所述再分布图案中的至少一个。
14.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中,所述屏蔽层包括堆叠在所述半导体芯片上的粘合剂层、屏蔽金属层和保护层。
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