[发明专利]半导体封装及其制造工艺

说明书

本发明提供一种封装制造工艺及半导体封装。提供具有晶体结构的中介层。将第一管芯及第二管芯接合在所述中介层上。将第二管芯定位成通过间隙而与第一管芯间隔开，所述间隙具有延伸方向垂直于间隙的最短距离的间隙延伸方向，且所述间隙延伸方向不平行于中介层的晶体结构的结晶取向。在中介层之上形成覆盖第一管芯及第二管芯的模制化合物。将模制化合物及中介层切割成封装。

技术领域

本发明的实施例是有关于半导体封装及其制造工艺。

背景技术

在先进的封装工艺中，半导体封装可通过芯片-晶片接合工艺(chip-to-waferbonding process)将多个芯片整合到含有穿孔的中介层上，且可将总成(assemblies)安装到衬底上。封装的结构强度及完整性的提高使得实现更好的可靠性及高的良率。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供一种制造工艺。提供具有晶体结构的中介层。在将第一管芯设置在所述中介层上之后，将第二管芯设置在所述中介层上。将所述第二管芯定位成通过间隙而与所述第一管芯间隔开且界定所述间隙的间隙延伸方向。所述间隙延伸方向不平行于所述中介层的所述晶体结构的结晶取向。将所述第一管芯及所述第二管芯接合到所述中介层。在所述中介层之上形成覆盖所述第一管芯及所述第二管芯的模制化合物。将所述模制化合物及所述中介层切割成封装。

根据本公开的一些替代实施例，一种封装工艺包括以下步骤。提供具有晶体结构的晶片中介层且确定所述晶体结构的结晶取向。将第一管芯设置在所述晶片中介层上且将每一第一管芯的一侧取向成与第一方向平行。所述第一方向被取向成在所述结晶取向与所述第一方向之间具有夹角θ，且所述夹角θ大于零且小于90度。将第二管芯设置在所述晶片中介层上且将每一第二管芯的一侧取向成与所述第一方向平行。所述第二管芯设置在所述第一管芯旁边且通过间隙而与所述第一管芯间隔开，且所述间隙在所述第一方向上延伸。将所述第一管芯及所述第二管芯接合到所述晶片中介层。在所述晶片中介层之上形成覆盖所述第一管芯及所述第二管芯的模制化合物。将所述模制化合物及所述晶片中介层切成封装。

根据本公开的一些实施例，阐述一种封装结构。所述封装结构包括半导体中介层、第一管芯及第二管芯以及导电连接件。所述半导体中介层具有晶体结构且具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述半导体中介层包括从所述第一表面延伸到所述第二表面的穿孔(204)。所述第一管芯设置在所述半导体中介层的所述第一表面上且与所述穿孔电连接。所述第二管芯设置在所述半导体中介层的所述第一表面上、设置在所述第一管芯旁边且与所述穿孔电连接。所述第一管芯与所述第二管芯通过所述第一管芯与所述第二管芯之间的间隙而隔开，且所述第一管芯与所述第二管芯的相互面对的侧界定所述间隙的间隙延伸方向。所述间隙延伸方向不平行于所述半导体中介层的所述晶体结构的结晶取向。所述导电连接件设置在所述半导体中介层的所述第二表面上且与所述穿孔电连接。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1、图2A及图3到图6是根据本公开一些示例性实施例的封装结构的制造方法中各个阶段的示意性剖视图。

图2B是示出根据本公开一些实施例的中介层上的管芯的位置的示意图。

图7A及图7B示出(100)晶片的结晶取向。

图8A是示出根据本公开实施例的封装及电路衬底的示意性剖视图。

图8B是示出根据本公开实施例的中介层上的管芯的位置的示意图。

具体实施方式