[发明专利]半导体封装及其制造工艺

权利要求书

1.一种半导体封装的制造工艺，包括：

提供具有晶体结构的中介层；

将第一管芯设置在所述中介层上；

将第二管芯设置在所述中介层上，并且将所述第二管芯定位成通过间隙而与所述第一管芯间隔开且界定与所述间隙的最短距离垂直的间隙延伸方向，其中所述间隙延伸方向不平行于所述中介层的所述晶体结构的结晶取向；

将所述第一管芯及所述第二管芯接合到所述中介层；

在所述中介层之上形成覆盖所述第一管芯及所述第二管芯的模制化合物；以及

切割透所述模制化合物及所述中介层以形成封装。

2.根据权利要求1所述的半导体封装的制造工艺，其中将所述第一管芯及所述第二管芯接合到所述中介层包括执行回流工艺。

3.根据权利要求1所述的半导体封装的制造工艺，还包括：在所述封装的被切割的所述中介层上形成导电连接件，其中被切割的所述中介层中包括穿孔且所述导电连接件与所述穿孔电连接。

4.根据权利要求1所述的半导体封装的制造工艺，其中，还包括：在设置所述第一管芯及设置所述第二管芯之前，在所述中介层上形成重布线结构。

5.一种封装工艺，包括：

提供具有晶体结构的晶片中介层；

将第一管芯及第二管芯接合在所述晶片中介层上且使所述第一管芯与所述第二管芯通过所述第一管芯的一侧与所述第二管芯的一侧之间的间隙彼此间隔开，所述第一管芯的所述一侧与所述第二管芯的所述一侧实质上平行于第一方向，其中所述第一方向被取向成在所述晶片中介层的所述晶体结构的结晶取向与所述第一方向之间具有夹角θ，且所述夹角θ大于零且小于180度；

在所述晶片中介层之上形成覆盖所述第一管芯及所述第二管芯的模制化合物；以及

切透所述模制化合物及所述晶片中介层以形成封装。

6.根据权利要求5所述的封装工艺，其中所述晶片中介层包括具有立方晶体结构的硅晶片。

7.根据权利要求5所述的封装工艺，其中所述夹角θ介于约60度到约120度的范围内。

8.一种封装结构，包括：

半导体中介层，具有晶体结构，其中所述半导体中介层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且所述半导体中介层包括从所述第一表面延伸到所述第二表面的穿孔；

第一管芯及第二管芯，分别设置在所述半导体中介层的所述第一表面上且与所述穿孔电连接；其中所述第一管芯与所述第二管芯通过所述第一管芯的一侧与所述第二管芯的一侧之间的间隙彼此间隔开，所述第一管芯的所述一侧与所述第二管芯的所述一侧实质上平行于第一方向，且所述第一方向不平行于所述半导体中介层的所述晶体结构的结晶取向；以及

导电连接件，设置在所述半导体中介层的所述第二表面上且与所述穿孔电连接。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其中，还包括设置在所述半导体中介层的所述第一表面上的重布线结构，且所述第一管芯及所述第二管芯通过所述重布线结构而与所述穿孔电连接。

10.根据权利要求8所述的封装结构，其中，还包括设置在所述半导体中介层的所述第二表面上的重布线结构，且所述导电连接件通过所述重布线结构而与所述穿孔电连接。