[发明专利]半导体装置封装和其制造方法在审
申请号: | 202010138485.6 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN112786545A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 胡逸群;施孟铠;洪志斌 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/13 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 制造 方法 | ||
本公开涉及一种半导体装置封装,其包含衬底;电子组件,其安置于所述衬底上;支撑结构,其安置于所述衬底上并且环绕所述电子组件;和散热结构,其安置于所述支撑结构上。所述支撑结构的长度和所述散热结构的长度大于所述衬底的长度。
技术领域
本公开涉及半导体装置封装和其制造方法。
背景技术
半导体装置封装可包含彼此上下堆叠的一些半导体装置。然而,随着半导体装置的功能性改进,可产生更多热量。整个装置封装需要具有大的散热区域以达成更高效的热消散。虽然增加装置封装的大小以促进热消散,单这必然增加工艺成本并且牺牲PCB区域利用率。
发明内容
根据本公开的一些实例实施例,一种半导体装置封装包含衬底;电子组件,其安置于所述衬底上;支撑结构,其安置于所述衬底上并且环绕所述电子组件;和散热结构,其安置于所述支撑结构上。所述支撑结构的长度和所述散热结构的长度大于所述衬底的长度。
根据本公开的一些实例实施例,一种半导体装置封装包含衬底;第一电子组件,其安置于所述衬底上;支撑结构,其环绕所述第一电子组件;和散热结构,其覆盖所述第一电子组件和所述支撑结构。所述支撑结构具有在所述衬底上方的第一部分和侧向延伸到超出所述衬底的侧面的第二部分。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下具体实施方式容易理解本公开的各方面。应注意,不同特征可不按比例绘制。实际上,为了论述清楚起见,可以任意增大或减小各种构件的尺寸。
图1A、图1B、图1C、图1D和图1E是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。
图1F是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的支撑结构的俯视图。
图2A是根据本公开的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。
图2B是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的支撑结构的俯视图。
图3A和图3B是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。
图3C是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的支撑结构的俯视图。
在整个图式和详细描述中使用共同参考标号来指示相同或类似元件。根据以下结合附图作出的详细描述,本公开将更显而易见。
具体实施方式
以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例。当然,这些只是实例且并不意欲为限制性的。在本公开中,在以下描述中对第一特征形成于第二特征上方或上的参考可包含第一特征与第二特征直接接触形成的实施例,并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外,本公开可在各个实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简单和清晰的目的,且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
下文详细论述本公开的实施例。然而,应了解,本公开提供可在各种特定上下文中体现的多个适用的概念。所论述的具体实施例仅仅是说明性的且并不限制本公开的范围。
图1A是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1的横截面图。半导体装置封装1包含载体10、衬底11、支撑结构12、电子组件14a和14b和散热结构16。
载体10可以是例如印刷电路板,例如纸基铜箔层合物、复合铜箔层合物或聚合物浸渍的玻璃纤维基铜箔层合物。载体10具有互连结构和/或接地元件。
衬底11形成或安置于载体10上。衬底11可通过电触头15b连接到载体10。衬底11可以是例如印刷电路板,例如纸基铜箔层合物、复合铜箔层合物或聚合物浸渍的玻璃纤维基铜箔层合物。衬底11可包含互连结构,例如重布层(RDL)或接地元件。
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