[发明专利]半导体装置封装和其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010138485.6 申请日: 2020-03-03
公开(公告)号: CN112786545A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 胡逸群;施孟铠;洪志斌 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/13
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 封装 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置封装,其包括:

衬底;

电子组件,其安置于所述衬底上;

支撑结构,其安置于所述衬底上并且环绕所述电子组件;和

散热结构,其安置于所述支撑结构上,其中所述支撑结构的长度和所述散热结构的长度大于所述衬底的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述散热结构的所述长度小于所述衬底的所述长度的三倍。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述支撑结构另外包括从所述支撑结构的底表面延伸到所述衬底中的第一引脚部分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置封装,其中所述支撑结构另外包括从所述支撑结构的顶表面延伸到所述散热结构中的第二引脚部分。

5.根据权利要求3所述的半导体装置封装,其中所述第一引脚部分的深度大于所述衬底的厚度的一半。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述散热结构通过第一粘附层连接到所述支撑结构的顶表面;所述衬底通过第二粘附层连接到所述支撑结构的底表面,且所述第一粘附层的材料与所述第二粘附层的材料相同。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装,其中所述散热结构通过第三粘附层连接到所述电子组件的背侧表面,且所述第三粘附层的材料与所述第一粘附层和所述第二粘附层的所述材料相同。

8.根据权利要求6所述的半导体装置封装,其中所述散热结构通过第三粘附层连接到所述电子组件的背侧表面,且所述第三粘附层的材料不同于所述第一粘附层和所述第二粘附层的所述材料。

9.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述支撑结构另外包括从所述支撑结构的底表面延伸并且接触所述衬底的侧面的第三引脚部分。

10.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述支撑结构具有包围所述电子组件的矩形轮廓。

11.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述支撑结构具有第一部分和环绕所述第一部分的第二部分,所述第一部分和所述第二部分具有矩形轮廓,且所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。

12.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述支撑结构具有第一部分和环绕所述第一部分的第二部分;所述第一部分具有矩形轮廓,且所述第二部分包括从所述第一部分的四个拐角延伸的四个延长部分。

13.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述支撑结构具有第一部分和与所述第一部分隔开的第二部分;所述第一部分具有矩形轮廓,且所述第二部分包括彼此隔开并且从第一部分的四个侧部延伸的四个辅助部分。

14.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述散热结构具有蒸汽室。

15.一种半导体装置封装,其包括:

衬底;

第一电子组件,其安置于所述衬底上;

支撑结构,其环绕所述第一电子组件,所述支撑结构具有在所述衬底上方的第一部分和侧向延伸到超出所述衬底的侧面的第二部分;和

散热结构,其覆盖所述第一电子组件和所述支撑结构。

16.根据权利要求15所述的半导体装置封装,其中所述支撑结构的长度和所述散热结构的长度大于所述衬底的长度。

17.根据权利要求15所述的半导体装置封装,其中所述支撑结构的所述第一部分的厚度大于所述支撑结构的所述第二部分的厚度。

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