[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，

具有：

第1晶片；

第1配线层，设于所述第1晶片；

第1绝缘层，相对于所述第1配线层设于第1方向的一侧；

第1电极，设于所述第1绝缘层内，具有与所述第1配线层连接的第1面、位于在所述第1方向的一侧上远离所述第一面的位置的第2面、位于在所述第1方向的一侧上比所述第2面更远离所述第1面的位置的第3面、从所述第1面朝向所述第2面的第1侧面及从所述第2面朝向第3面的第4面；

第2晶片；

第2配线层，设于所述第2晶片；

第2绝缘层，相对于所述第2配线层设于所述第1方向的另一侧；

第2电极，设于所述第2绝缘层内，具有与所述第2配线层连接的第5面、位于在所述第1方向的另一侧上远离所述第5面的位置的第6面、位于在所述第1方向的另一侧上比所述第6面更远离所述第5面的位置并与所述第3面连接的第7面、从所述第5面朝向所述第6面的第2侧面及从所述第6面朝向所述第7面的第8面；以及

第1层，设于所述第4面与所述第1绝缘层中的将所述第4面包围的部分之间，在所述第1方向上远离所述第3面而设置。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

具有设于所述第8面与所述第2绝缘层中的将所述第8面包围的部分之间、从所述第7面远离而设置的第2层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第3面与所述第2面相比，在与所述第1方向相交的第2方向上较长。

4.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1层还在所述第2面与所述第1绝缘层中的相对于所述第2面位于所述第1方向的另一侧的部分之间、所述第1侧面与所述第1绝缘层中的将所述第1侧面包围的部分之间、以及所述第1面与所述第1配线层之间延伸；

所述第1面经由所述第1层与所述第1配线层连接。

5.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1电极由导电体构成；

在所述第1电极的所述第4面上设有所述第1层。

6.如权利要求1所述的半导体装置，

在所述第1层与所述第3面之间设有所述第1电极的一部分。

7.如权利要求2所述的半导体装置，

所述第1层及所述第2层含有钛。

8.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1电极及所述第2电极含有铜。

9.如权利要求1所述的半导体装置，

在所述第1层与包围所述第4面的所述第1绝缘层之间设有第3层。

10.一种半导体装置，

具有：

第1晶片；

第1配线层，设于所述第1晶片；

第1绝缘层，设于所述第1配线层上方；以及

电极，包括第1部分、第2部分和第3部分，所述第1部分设于所述第1绝缘层内，与所述第1配线层连接，在与所述第1晶片的表面平行的第1方向上具有第1长度，所述第2部分设于所述第1绝缘层内，与所述第1部分是一体，具有在所述第1方向上比所述第1长度大的第2长度、以及在所述第1方向上比所述第2长度大的第3长度，所述第3部分设于所述第1绝缘层上且在设有第2配线层的第2晶片下方设置的第2绝缘层内，与所述第2部分连接，在所述第1方向上具有比所述第3长度小的第4长度。

11.如权利要求10所述的半导体装置，

所述电极还包括第4部分，所述第4部分设于所述第2绝缘层内，与所述第2配线层连接，与所述第3部分是一体，在所述第1方向上具有比所述第4长度小的第5长度。