[发明专利]半导体装置及半导体封装

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体元件；

保护层，其安置邻近于所述半导体元件的表面，所述保护层界定开口以暴露所述半导体元件；

第一凸块，其安置于所述半导体元件上；及

第二凸块，其安置至所述保护层的表面上，

其中所述第一凸块相比于所述第二凸块具有较大横截面表面积。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一凸块具有与所述第二凸块的形状不同的形状。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一凸块具有椭圆形且所述第二凸块具有圆形。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一凸块具有与所述第二凸块的形状相同的形状。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第一凸块具有圆形且所述第二凸块具有圆形。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一凸块具有相对于第一方向的第一长度及相对于第二方向的第二长度，且所述第二凸块具有相对于所述第一方向的第三长度及相对于所述第二方向的第四长度，其中所述第一长度对所述第二长度的比率为约1且所述第三长度对所述第四长度的比率为约1。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一凸块包括第一焊料层且所述第二凸块包括第二焊料层，其中所述第一焊料层具有0.55至0.65的盖部比率且所述第二焊料层具有0.50至0.70的盖部比率，其中所述盖部比率是由所述焊料层的厚度对所述凸块相对于第一方向的长度决定。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一凸块包括第一焊料层且所述第二凸块包括第二焊料层，其中所述第一焊料层具有0.55至0.65的盖部比率且所述第二焊料层具有0.60至0.80的盖部比率，其中所述盖部比率是由所述焊料层的厚度对所述凸块相对于第一方向的长度决定。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一凸块具有相对于第一方向的第一长度及相对于第二方向的第二长度，且所述第二凸块具有相对于所述第一方向的第三长度及相对于所述第二方向的第四长度，其中所述第三长度在所述第一长度与约10μm之间的差的90％至110％的范围内。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一凸块具有相对于第一方向的第一长度及相对于第二方向的第二长度，且所述第二凸块具有相对于所述第一方向的第三长度及相对于所述第二方向的第四长度，其中所述第三长度在所述第一长度与0.7的乘积的90％至110％的范围内。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中从所述第一凸块与所述半导体元件接触的表面至所述第一凸块的顶部测量的第一高度与从所述第一凸块与所述半导体元件接触的表面至所述第二凸块的顶部测量的第二高度大体上相同。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一凸块的顶部与所述第二凸块的顶部之间的差小于8μm。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体元件进一步包括安置邻近于所述半导体元件的表面的接合衬垫，且所述第一凸块安置于所述接合衬垫上。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一凸块及所述第二凸块为柱。