[发明专利]半导体存储器的制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供待处理部，所述待处理部包括晶圆和位于所述晶圆上的栅结构，所述栅结构包括金属材料，且至少在最小等待时间后对所述待处理部进行预设工艺步骤；

在进行所述预设工艺步骤之前，提供氧源气体和催化气体对所述待处理部进行热氧化工艺，在所述待处理部的表面形成金属氧化物；

在进行所述预设工艺步骤之前，进行清洁工艺，所述清洁工艺用于去除所述待处理部表面的所述金属氧化物，所述清洁工艺包括干法刻蚀工艺，在所述清洁工艺步骤中，将部分所述氧源气体替换为反应气体，所述反应气体用于去除所述金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，采用氧等离子体进行所述热氧化工艺处理。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，产生所述氧等离子体所采用的第一射频功率范围为3500W～4400W。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述热氧化工艺采用的工艺温度为60℃～120℃。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述热氧化工艺的步骤包括：对所述待处理部进行加热处理，以使所述待处理部的温度上升至第一温度，且所述加热处理过程中反应腔室内具有第一压强；在所述加热处理之后，使所述待处理部的温度保持在所述第一温度，并提供氧源气体，以使所述反应腔室内的压强由所述第一压强增加至第二压强；在所述反应腔室内压强增加至所述第二压强之后，开启射频电源。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述第二压强为900Torr-1500Torr。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述氧源气体为O₂，所述氧源气体的流量为13000sccm，所述催化气体为N₂H₄，所述催化气体的流量为1300sccm。

8.根据权利要求5所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述清洁工艺的步骤包括：提供所述氧源气体，并调整所述待处理部的温度、所述反应腔室内的压强以及所述射频电源的功率，以使所述待处理部的温度下降至第二温度、所述反应腔室内的压强下降至第三压强以及所述射频电源的功率下降第二射频功率；在所述调整之后，使反应腔室内的压强保持在所述第三压强，并将部分所述氧源气体替换为反应气体，所述反应气体用于去除所述氧化物。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述待处理部的材料包括钨，所述氧化物为氧化钨，所述氧源气体包括O₂或O₃，所述反应气体包括含氟气体或者氨气。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述氧源气体为氧气，所述氧源气体的流量为3960sccm；所述反应气体为CF₄，所述反应气体的流量为40sccm。

11.根据权利要求8所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，在进行所述清洁工艺之后且在进行所述预设工艺步骤之前，进行吹扫工艺，所述吹扫工艺包括：采用惰性气体吹扫所述待处理部表面，所述惰性气体的温度与所述第二温度之差小于预设温度值。