[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一半导体芯片，具有上表面、与所述上表面相对的下表面以及在所述上表面与所述下表面之间的侧壁；

封端绝缘层，覆盖所述第一半导体芯片的所述上表面和所述侧壁；以及

屏蔽层，在所述封端绝缘层上，

其中，所述封端绝缘层的下部部分包含接触所述屏蔽层的下表面的侧向突出封端突出部。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述封端绝缘层的所述下部部分的外侧壁与所述屏蔽层的外侧壁对准。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述封端绝缘层具有由所述屏蔽层覆盖的第一封端侧壁以及在所述侧向突出封端突出部处的第二封端侧壁，且

所述第二封端侧壁的表面粗糙度大于所述第一封端侧壁的表面粗糙度。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述屏蔽层具有与所述封端突出部间隔开的第一屏蔽侧壁以及邻近于所述封端突出部的第二屏蔽侧壁，且

所述第二屏蔽侧壁的表面粗糙度大于所述第一屏蔽侧壁的表面粗糙度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述屏蔽层的下部部分在所述侧向突出封端突出部上侧向突出。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述屏蔽层包含：

第一屏蔽层，邻近于所述封端绝缘层，以及

第二屏蔽层，在所述第一屏蔽层上且与所述封端绝缘层间隔开，且

所述第一屏蔽层包含与所述第二屏蔽层中所包含的金属不同的金属。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中所述第一屏蔽层的下部部分在所述侧向突出封端突出部上侧向突出，且接触所述第二屏蔽层的下表面。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，更包括：

基底，在所述第一半导体芯片的所述下表面上，且相对于所述第一半导体芯片的所述侧壁朝外突出；以及

模制层，在所述基底的上表面上且在所述第一半导体芯片的所述侧壁上，

其中：

所述封端绝缘层接触所述基底的侧壁和所述模制层，且

所述基底为再分布层或封装基底。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，更包括：

上部封装基底，在所述第一半导体芯片上；

第二半导体芯片，在所述上部封装基底上；以及

模制层，在所述第二半导体芯片和所述上部封装基底上，

其中所述封端绝缘层接触所述上部封装基底的侧壁和所述模制层。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中所述封端绝缘层在所述上部封装基底与所述第一半导体芯片之间延伸。

11.根据权利要求9所述的半导体封装件，更包括：

下部封装基底，在所述第一半导体芯片的所述下表面上；以及

封装连接结构，将所述上部封装基底与所述下部封装基底电连接，

其中所述封端绝缘层接触所述封装连接结构的侧壁。

12.根据权利要求9所述的半导体封装件，更包括：

再分布层，在所述第一半导体芯片的所述下表面上；

连接基底，在所述再分布层上；以及

封装连接结构，延伸穿过所述连接基底，且将所述上部封装基底与所述连接基底电连接，

其中所述封端绝缘层延伸以接触所述封装连接结构的侧壁。

13.根据权利要求1所述的半导体封装件，更包括：

基底，在所述第一半导体芯片的所述下表面上，且相对于所述第一半导体芯片的所述侧壁朝外突出；以及

模制层，覆盖所述基底的上表面和所述屏蔽层的侧壁，

其中所述基底是再分布层或封装基底。